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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRFU7440PBF
Infineon Technologies
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IRFU7440PBF - Infineon Technologies

उत्पादक भाग संख्या
IRFU7440PBF
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-IRFU7440PBF
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 40V 90A IPAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
विवरण तालिका
IRFU7440PBF.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 55870

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मात्रा

विशेष विवरण

IRFU7440PBF तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - IRFU7440PBF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - IRFU7440PBF के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3.9V @ 100µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज IPAK (TO-251AA)  
शृंखला HEXFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 2.4mOhm @ 90A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 140W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 4610 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 134 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 6V, 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 40 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 90A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IRFU7440  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies IRFU7440PBF के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRFU7440PBF IRFU5410PBF IRFU5505PBF IRFU9014
भाग संख्या IRFU7440PBF IRFU5410PBF IRFU5505PBF IRFU9014
उत्पादक Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
FET प्रकार N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3.9V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 2.4mOhm @ 90A, 10V 205mOhm @ 7.8A, 10V 110mOhm @ 9.6A, 10V 500mOhm @ 3.1A, 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 4610 pF @ 25 V 760 pF @ 25 V 650 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 6V, 10V 10V 10V 10V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 90A (Tc) 13A (Tc) 18A (Tc) 5.1A (Tc)
पैकेट Tube Tube Tube Tube
शृंखला HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
पैकेज / प्रकरण TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
प्रदायक डिवाइस पैकेज IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) TO-251AA
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 140W (Tc) 66W (Tc) 57W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 134 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET फ़ीचर - - - -
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 40 V 100 V 55 V 60 V
आधार उत्पाद संख्या IRFU7440 IRFU5410 IRFU5505 IRFU9

IRFU7440PBF डेटशीट पीडीएफ

IRFU7440PBF - Infineon Technologies के लिए IRFU7440PBF PDF DataSheets और Infineon Technologies प्रलेखन डाउनलोड करें।

अन्य संबंधित दस्तावेज
IR Part Numbering System.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf

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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
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इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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