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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRFZ34NSPBF
International Rectifier
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IRFZ34NSPBF - International Rectifier

उत्पादक भाग संख्या
IRFZ34NSPBF
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-IRFZ34NSPBF
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
विवरण तालिका
IRFZ34NSPBF.pdf
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विशेष विवरण

IRFZ34NSPBF तकनीकी विनिर्देश
International Rectifier - IRFZ34NSPBF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और International Rectifier - IRFZ34NSPBF के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D2PAK  
शृंखला HEXFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 40mOhm @ 16A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 3.8W (Ta), 68W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेट Bulk  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 700 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 34 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 55 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 29A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में International Rectifier IRFZ34NSPBF के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRFZ34NSPBF IRFZ34E IRFZ34STRR IRFZ34NS
भाग संख्या IRFZ34NSPBF IRFZ34E IRFZ34STRR IRFZ34NS
उत्पादक International Rectifier Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
शृंखला HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
प्रदायक डिवाइस पैकेज D2PAK TO-220AB D²PAK (TO-263) D2PAK
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 700 pF @ 25 V 680 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 55 V 60 V 60 V 55 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET फ़ीचर - - - -
पैकेट Bulk Tube Tape & Reel (TR) Tube
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 29A (Tc) 28A (Tc) 30A (Tc) 29A (Tc)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 34 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 3.8W (Ta), 68W (Tc) 68W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc)
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 40mOhm @ 16A, 10V 42mOhm @ 17A, 10V 50mOhm @ 18A, 10V 40mOhm @ 16A, 10V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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