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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRLSL3034PBF
Infineon Technologies
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IRLSL3034PBF - Infineon Technologies

उत्पादक भाग संख्या
IRLSL3034PBF
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-IRLSL3034PBF
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 40V 195A TO262
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
विवरण तालिका
IRLSL3034PBF.pdf
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स्टॉक में: 4320

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विशेष विवरण

IRLSL3034PBF तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - IRLSL3034PBF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - IRLSL3034PBF के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-262  
शृंखला HEXFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 1.7mOhm @ 195A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 375W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 10315 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 162 nC @ 4.5 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 40 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 195A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies IRLSL3034PBF के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRLSL3034PBF IRLTS6342TRPBF IRLS4030TRLPBF IRLS510A
भाग संख्या IRLSL3034PBF IRLTS6342TRPBF IRLS4030TRLPBF IRLS510A
उत्पादक Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies onsemi
पैकेट Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 1.7mOhm @ 195A, 10V 17.5mOhm @ 8.3A, 4.5V 4.3mOhm @ 110A, 10V 440mOhm @ 2.25A, 5V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 5V
पैकेज / प्रकरण TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA SOT-23-6 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 Full Pack
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.5V @ 250µA 1.1V @ 10µA 2.5V @ 250µA 2V @ 250µA
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 10315 pF @ 25 V 1010 pF @ 25 V 11360 pF @ 50 V 235 pF @ 25 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 375W (Tc) 2W (Ta) 370W (Tc) 23W (Tc)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 195A (Tc) 8.3A (Ta) 180A (Tc) 4.5A (Tc)
FET फ़ीचर - - - -
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 162 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V 130 nC @ 4.5 V 8 nC @ 5 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-262 6-TSOP D2PAK TO-220F-3
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 40 V 30 V 100 V 100 V
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±12V ±16V ±20V
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
शृंखला HEXFET® HEXFET® HEXFET® -

IRLSL3034PBF डेटशीट पीडीएफ

IRLSL3034PBF - Infineon Technologies के लिए IRLSL3034PBF PDF DataSheets और Infineon Technologies प्रलेखन डाउनलोड करें।

अन्य संबंधित दस्तावेज
Part Number Guide.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
Multiple Devices 25/Apr/2014.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
TO-262 FET 04/Jul/2013.pdf

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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
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यूरोप जर्मनी 5
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न्यूज़ीलैंड 5
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जापान 4
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
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