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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादडायोड - रेक्टीफायर - एकलSDT04S60
Infineon Technologies
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SDT04S60 - Infineon Technologies

उत्पादक भाग संख्या
SDT04S60
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-SDT04S60
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-2
विवरण तालिका
SDT04S60.pdf
स्टॉक में: 4210

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मात्रा

विशेष विवरण

SDT04S60 तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - SDT04S60 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - SDT04S60 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं 1.9 V @ 4 A  
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) 600 V  
प्रौद्योगिकी SiC (Silicon Carbide) Schottky  
प्रदायक डिवाइस पैकेज PG-TO220-2-2  
गति No Recovery Time > 500mA (Io)  
शृंखला CoolSiC™+  
रिवर्स वसूली समय (trr) 0 ns  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेज / प्रकरण TO-220-2  
पैकेट Tube  
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन -55°C ~ 175°C  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर 200 µA @ 600 V  
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) 4A  
समाई @ वीआर, एफ 150pF @ 0V, 1MHz  
आधार उत्पाद संख्या SDT04S  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies SDT04S60 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता SDT04S60 SDT06S60 SDT08S60 SDT-S-112DMR
भाग संख्या SDT04S60 SDT06S60 SDT08S60 SDT-S-112DMR
उत्पादक Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Tyco Electronics
शृंखला CoolSiC™+ CoolSiC™+ CoolSiC™+ -
आधार उत्पाद संख्या SDT04S SDT06S SDT08S -
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर 200 µA @ 600 V 200 µA @ 600 V 300 µA @ 600 V -
पैकेज / प्रकरण TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2 -
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -
पैकेट Tube Tube Tube -
गति No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) -
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) 4A 6A 8A -
समाई @ वीआर, एफ 150pF @ 0V, 1MHz 300pF @ 0V, 1MHz 280pF @ 0V, 1MHz -
प्रदायक डिवाइस पैकेज PG-TO220-2-2 PG-TO220-2-2 PG-TO220-2-2 -
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) 600 V 600 V 600 V -
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole -
रिवर्स वसूली समय (trr) 0 ns 0 ns 0 ns -
प्रौद्योगिकी SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky -
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं 1.9 V @ 4 A 1.7 V @ 6 A 1.7 V @ 8 A -

SDT04S60 डेटशीट पीडीएफ

SDT04S60 - Infineon Technologies के लिए SDT04S60 PDF DataSheets और Infineon Technologies प्रलेखन डाउनलोड करें।

अन्य संबंधित दस्तावेज
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डिलिवरी विधि

  1. डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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