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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSPD07N60S5
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SPD07N60S5 - Infineon Technologies

उत्पादक भाग संख्या
SPD07N60S5
उत्पादक
Infineon Technologies
Allelco भाग संख्या
32D-SPD07N60S5
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
पैकेज
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
विवरण तालिका
SPD07N60S5.pdf
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स्टॉक में: 4010

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विशेष विवरण

SPD07N60S5 तकनीकी विनिर्देश
Infineon Technologies - SPD07N60S5 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Infineon Technologies - SPD07N60S5 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Infineon Technologies  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5.5V @ 350µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज PG-TO252-3-11  
शृंखला CoolMOS™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 600mOhm @ 4.6A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 83W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 970 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 35 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 7.3A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या SPD07N  

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण

गुण विवरण
RoHs स्थिति RoHS गैर-आज्ञाकारी
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
तक पहुँचने की स्थिति REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Infineon Technologies SPD07N60S5 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता SPD07N60S5 SPD07N20 SPD07N60C3BTMA1 SPD07N60C3
भाग संख्या SPD07N60S5 SPD07N20 SPD07N60C3BTMA1 SPD07N60C3
उत्पादक Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V 200 V 650 V 600 V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET फ़ीचर - - - -
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5.5V @ 350µA 4V @ 1mA 3.9V @ 350µA 3.9V @ 350µA
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 600mOhm @ 4.6A, 10V 400mOhm @ 4.5A, 10V 600mOhm @ 4.6A, 10V 600mOhm @ 4.6A, 10V
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
शृंखला CoolMOS™ SIPMOS® CoolMOS™ CoolMOS™
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 7.3A (Tc) 7A (Tc) 7.3A (Tc) 7.3A (Tc)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 970 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 790 pF @ 25 V 790 pF @ 25 V
पैकेज / प्रकरण TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
प्रदायक डिवाइस पैकेज PG-TO252-3-11 PG-TO252-3 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3
आधार उत्पाद संख्या SPD07N SPD07N SPD07N SPD07N
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 83W (Tc) 40W (Tc) 83W (Tc) 83W (Tc)
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 35 nC @ 10 V 31.5 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V

SPD07N60S5 डेटशीट पीडीएफ

SPD07N60S5 - Infineon Technologies के लिए SPD07N60S5 PDF DataSheets और Infineon Technologies प्रलेखन डाउनलोड करें।

अन्य संबंधित दस्तावेज
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डिलिवरी विधि

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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SPD07N60S5

Infineon Technologies
32D-SPD07N60S5

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