Name: Diodes Incorporated DMN2005LP4K-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2005LP4K-7

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

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शिपमेंट के लिए हमारे खाते का उपयोग करें।अनुमानित शुल्क के लिए नीचे दी गई तालिका देखें।

(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	Diodes Incorporated
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	900mV @ 100µA
वीजीएस (मैक्स)	±10V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	X2-DFN1006-3
शृंखला	-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	1.5Ohm @ 10mA, 4V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	400mW (Ta)
पैकेज / प्रकरण	3-XFDFN
पैकेट	Tape & Reel (TR)

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	-65°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	41 pF @ 3 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	1.5V, 4V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	20 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	200mA (Ta)
आधार उत्पाद संख्या	DMN2005

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	DMN2005LP4K-7	DMN2009LSS-13	DMN2005UFG-13	DMN2005UFGQ-13
उत्पादक	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
पैकेज / प्रकरण	3-XFDFN	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-PowerVDFN	8-PowerVDFN
प्रदायक डिवाइस पैकेज	X2-DFN1006-3	8-SO	PowerDI3333-8	PowerDI3333-8
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	1.5Ohm @ 10mA, 4V	8mOhm @ 12A, 10V	4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V	4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	900mV @ 100µA	1.2V @ 250µA	1.2V @ 250µA	1.2V @ 250µA
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
शृंखला	-	-	-	Automotive, AEC-Q101
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	400mW (Ta)	2W (Ta)	1.05W (Ta)	1.05W (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	1.5V, 4V	2.5V, 10V	2.5V, 4.5V	2.5V, 4.5V
FET फ़ीचर	-	-	-	-
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
पैकेट	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	41 pF @ 3 V	2555 pF @ 10 V	6495 pF @ 10 V	6495 pF @ 10 V
वीजीएस (मैक्स)	±10V	±12V	±12V	±12V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	20 V	20 V	20 V	20 V
आधार उत्पाद संख्या	DMN2005	DMN2009	DMN2005	DMN2005
परिचालन तापमान	-65°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	200mA (Ta)	12A (Ta)	18.1A (Tc)	18A (Ta), 50A (Tc)

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