Name: Diodes Incorporated DMN32D2LFB4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN32D2LFB4-7

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

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शिपमेंट के लिए हमारे खाते का उपयोग करें।अनुमानित शुल्क के लिए नीचे दी गई तालिका देखें।

(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	Diodes Incorporated
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	1.2V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)	±10V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	X2-DFN1006-3
शृंखला	-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	1.2Ohm @ 100mA, 4V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	350mW (Ta)
पैकेज / प्रकरण	3-XFDFN
पैकेट	Tape & Reel (TR)

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	39 pF @ 3 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	1.8V, 4V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	30 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	300mA (Ta)
आधार उत्पाद संख्या	DMN32

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	DMN32D2LFB4-7	DMN3200U-7	DMN31D5UFZ-7B	DMN32D2LV-7
उत्पादक	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	X2-DFN1006-3	SOT-23-3	X2-DFN0606-3	SOT-563
पैकेज / प्रकरण	3-XFDFN	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3-XFDFN	SOT-563, SOT-666
FET फ़ीचर	-	-	-	Logic Level Gate
शृंखला	-	-	-	-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	1.2Ohm @ 100mA, 4V	90mOhm @ 2.2A, 4.5V	1.5Ohm @ 100mA, 4.5V	1.2Ohm @ 100mA, 4V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	300mA (Ta)	2.2A (Ta)	220mA (Ta)	400mA
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
वीजीएस (मैक्स)	±10V	±8V	±12V	-
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	39 pF @ 3 V	290 pF @ 10 V	22.2 pF @ 15 V	39pF @ 3V
आधार उत्पाद संख्या	DMN32	DMN3200	DMN31	DMN32
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	350mW (Ta)	650mW (Ta)	393mW (Ta)	-
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	30 V	30 V	30 V	30V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	1.2V @ 250µA	1V @ 250µA	1V @ 250µA	1.2V @ 250µA
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	1.8V, 4V	1.5V, 4.5V	1.2V, 4.5V	-
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	-
पैकेट	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)

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