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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादडायोड - रेक्टीफायर्स - एरेज़MBR30100CTF-E1
Diodes Incorporated
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MBR30100CTF-E1 - Diodes Incorporated

उत्पादक भाग संख्या
MBR30100CTF-E1
उत्पादक
Diodes Incorporated
Allelco भाग संख्या
32D-MBR30100CTF-E1
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220F
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3 Full Pack
विवरण तालिका
MBR30100C.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 3700

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मात्रा

विशेष विवरण

MBR30100CTF-E1 तकनीकी विनिर्देश
Diodes Incorporated - MBR30100CTF-E1 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Diodes Incorporated - MBR30100CTF-E1 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Diodes Incorporated  
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं 850 mV @ 15 A  
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) 100 V  
प्रौद्योगिकी Schottky  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220F-3  
गति Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
शृंखला -  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 Full Pack  
पैकेट Tube  
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन -55°C ~ 150°C  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
डायोड विन्यास 1 Pair Common Cathode  
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर 100 µA @ 100 V  
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति) 15A  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Diodes Incorporated MBR30100CTF-E1 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता MBR30100CTF-E1 MBR30100CT-E1 MBR30100CT_T0_00001 MBR30100CT
भाग संख्या MBR30100CTF-E1 MBR30100CT-E1 MBR30100CT_T0_00001 MBR30100CT
उत्पादक Diodes Incorporated Diodes Incorporated Panjit International Inc. Taiwan Semiconductor Corporation
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
पैकेट Tube Tube Tube Tube
गति Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
प्रौद्योगिकी Schottky Schottky Schottky Schottky
डायोड विन्यास 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 Full Pack TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर 100 µA @ 100 V 100 µA @ 100 V 50 µA @ 100 V 200 µA @ 100 V
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -65°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं 850 mV @ 15 A 850 mV @ 15 A 800 mV @ 15 A 940 mV @ 30 A
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220F-3 TO-220-3 TO-220AB TO-220AB
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) 100 V 100 V 100 V 100 V
शृंखला - - - -
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति) 15A 15A 30A 30A

MBR30100CTF-E1 डेटशीट पीडीएफ

MBR30100CTF-E1 - Diodes Incorporated के लिए MBR30100CTF-E1 PDF DataSheets और Diodes Incorporated प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
MBR30100C.pdf
पर्यावरण सूचना
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
Mult Devices EOL 05/Feb/2019.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
टिप्पणी:
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