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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलZVN2120GTC
Diodes Incorporated
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ZVN2120GTC - Diodes Incorporated

उत्पादक भाग संख्या
ZVN2120GTC
उत्पादक
Diodes Incorporated
Allelco भाग संख्या
32D-ZVN2120GTC
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-261-4, TO-261AA
विवरण तालिका
ZVN2120G.pdf
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विशेष विवरण

ZVN2120GTC तकनीकी विनिर्देश
Diodes Incorporated - ZVN2120GTC तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Diodes Incorporated - ZVN2120GTC के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Diodes Incorporated  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3V @ 1mA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज SOT-223-3  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 10Ohm @ 250mA, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 2W (Ta)  
पैकेज / प्रकरण TO-261-4, TO-261AA  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 85 pF @ 25 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 200 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 320mA (Ta)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Diodes Incorporated ZVN2120GTC के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता ZVN2120GTC ZVN2110GTC ZVN2120A ZVN2110GTA
भाग संख्या ZVN2120GTC ZVN2110GTC ZVN2120A ZVN2110GTA
उत्पादक Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
शृंखला - - - -
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 10Ohm @ 250mA, 10V 4Ohm @ 1A, 10V 10Ohm @ 250mA, 10V 4Ohm @ 1A, 10V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 2W (Ta) 2W (Ta) 700mW (Ta) 2W (Ta)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 320mA (Ta) 500mA (Ta) 180mA (Ta) 500mA (Ta)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 200 V 100 V 200 V 100 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 85 pF @ 25 V 75 pF @ 25 V 85 pF @ 25 V 75 pF @ 25 V
पैकेज / प्रकरण TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-261-4, TO-261AA
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3V @ 1mA 2.4V @ 1mA 3V @ 1mA 2.4V @ 1mA
FET फ़ीचर - - - -
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
प्रदायक डिवाइस पैकेज SOT-223-3 SOT-223-3 TO-92 SOT-223-3

ZVN2120GTC डेटशीट पीडीएफ

ZVN2120GTC - Diodes Incorporated के लिए ZVN2120GTC PDF DataSheets और Diodes Incorporated प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
ZVN2120G.pdf
पर्यावरण सूचना
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf

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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
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ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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