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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलZXMP3A16GTA
Diodes Incorporated
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ZXMP3A16GTA - Diodes Incorporated

उत्पादक भाग संख्या
ZXMP3A16GTA
उत्पादक
Diodes Incorporated
Allelco भाग संख्या
32D-ZXMP3A16GTA
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET P-CH 30V 5.4A SOT223
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-261-4, TO-261AA
विवरण तालिका
ZXMP3A16G.pdf
RoHs स्थिति
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स्टॉक में: 59450

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मात्रा

विशेष विवरण

ZXMP3A16GTA तकनीकी विनिर्देश
Diodes Incorporated - ZXMP3A16GTA तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Diodes Incorporated - ZXMP3A16GTA के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Diodes Incorporated  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 1V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज SOT-223-3  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 45mOhm @ 4.2A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 2W (Ta)  
पैकेज / प्रकरण TO-261-4, TO-261AA  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1022 pF @ 15 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 29.6 nC @ 10 V  
FET प्रकार P-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 30 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 5.4A (Ta)  
आधार उत्पाद संख्या ZXMP3A16  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Diodes Incorporated ZXMP3A16GTA के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता ZXMP3A16GTA ZXMP2120G4TA ZXMP3A16N8TA ZXMP3A13FTA
भाग संख्या ZXMP3A16GTA ZXMP2120G4TA ZXMP3A16N8TA ZXMP3A13FTA
उत्पादक Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
पैकेज / प्रकरण TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
आधार उत्पाद संख्या ZXMP3A16 ZXMP2120 ZXMP3A16 ZXMP3A13
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 1V @ 250µA 3.5V @ 1mA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 45mOhm @ 4.2A, 10V 25Ohm @ 150mA, 10V 40mOhm @ 4.2A, 10V 210mOhm @ 1.4A, 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1022 pF @ 15 V 100 pF @ 25 V 1022 pF @ 15 V 206 pF @ 15 V
FET प्रकार P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
शृंखला - - - -
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 5.4A (Ta) 200mA (Ta) 5.6A (Ta) 1.4A (Ta)
प्रदायक डिवाइस पैकेज SOT-223-3 SOT-223-3 8-SO SOT-23-3
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 30 V 200 V 30 V 30 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 2W (Ta) 2W (Ta) 1.9W (Ta) 625mW (Ta)
FET फ़ीचर - - - -
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 29.6 nC @ 10 V - 29.6 nC @ 10 V 6.4 nC @ 10 V

ZXMP3A16GTA डेटशीट पीडीएफ

ZXMP3A16GTA - Diodes Incorporated के लिए ZXMP3A16GTA PDF DataSheets और Diodes Incorporated प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
ZXMP3A16G.pdf
पर्यावरण सूचना
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Date Code Mark Update 13/Jan/2015.pdf Mult Dev Die Layer Add 30/Nov/2018.pdf

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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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