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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFQPF9N90CT
Fairchild Semiconductor
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FQPF9N90CT - Fairchild Semiconductor

उत्पादक भाग संख्या
FQPF9N90CT
उत्पादक
Fairchild (onsemi)
Allelco भाग संख्या
32D-FQPF9N90CT
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3 Full Pack
विवरण तालिका
FQPF9N90CT.pdf
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मात्रा

विशेष विवरण

FQPF9N90CT तकनीकी विनिर्देश
Fairchild Semiconductor - FQPF9N90CT तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Fairchild Semiconductor - FQPF9N90CT के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Fairchild (onsemi)  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220F-3  
शृंखला QFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 1.4Ohm @ 4A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 68W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 Full Pack  
पैकेट Bulk  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2730 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 58 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 900 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 8A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Fairchild Semiconductor FQPF9N90CT के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FQPF9N90CT FQPF9N50CF FQPF9N50C FQPF9N90CT
भाग संख्या FQPF9N90CT FQPF9N50CF FQPF9N50C FQPF9N90CT
उत्पादक Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 8A (Tc) 9A (Tc) 9A (Tc) 8A (Tc)
FET फ़ीचर - - - -
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
शृंखला QFET® FRFET® QFET® QFET®
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 900 V 500 V 500 V 900 V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
पैकेट Bulk Bulk Tube Tube
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 1.4Ohm @ 4A, 10V 850mOhm @ 4.5A, 10V 800mOhm @ 4.5A, 10V 1.4Ohm @ 4A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 68W (Tc) 44W (Tc) 44W (Tc) 68W (Tc)
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±30V ±30V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2730 pF @ 25 V 1030 pF @ 25 V 1030 pF @ 25 V 2730 pF @ 25 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 58 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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