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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलHUF75639P3
Fairchild Semiconductor
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HUF75639P3 - Fairchild Semiconductor

उत्पादक भाग संख्या
HUF75639P3
उत्पादक
Fairchild (onsemi)
Allelco भाग संख्या
32D-HUF75639P3
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
HUF75639P3.pdf
तुलना
स्टॉक में: 5320

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मात्रा

विशेष विवरण

HUF75639P3 तकनीकी विनिर्देश
Fairchild Semiconductor - HUF75639P3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Fairchild Semiconductor - HUF75639P3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Fairchild (onsemi)  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3  
शृंखला UltraFET™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 25mOhm @ 56A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 200W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
पैकेट Bulk  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2000 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 130 nC @ 20 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 56A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Fairchild Semiconductor HUF75639P3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता HUF75639P3 HUF75639S3 HUF75639P3 HUF75639S3S
भाग संख्या HUF75639P3 HUF75639S3 HUF75639P3 HUF75639S3S
उत्पादक Fairchild Semiconductor Harris Corporation onsemi Fairchild Semiconductor
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 200W (Tc) 200W (Tc) 200W (Tc) 200W (Tc)
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
FET फ़ीचर - - - -
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 130 nC @ 20 V 130 nC @ 20 V 130 nC @ 20 V 130 nC @ 20 V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 25mOhm @ 56A, 10V 25mOhm @ 56A, 10V 25mOhm @ 56A, 10V 25mOhm @ 56A, 10V
पैकेट Bulk Tube Tube Tube
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 56A (Tc) 56A (Tc) 56A (Tc) 56A (Tc)
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2000 pF @ 25 V 2000 pF @ 25 V 2000 pF @ 25 V 2000 pF @ 25 V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3 I2PAK (TO-262) TO-220-3 D2PAK (TO-263)
शृंखला UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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