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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलHUF76423P3
Fairchild Semiconductor
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HUF76423P3 - Fairchild Semiconductor

उत्पादक भाग संख्या
HUF76423P3
उत्पादक
Fairchild (onsemi)
Allelco भाग संख्या
32D-HUF76423P3
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
HUF76423P3.pdf
तुलना
स्टॉक में: 5280

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मात्रा

विशेष विवरण

HUF76423P3 तकनीकी विनिर्देश
Fairchild Semiconductor - HUF76423P3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Fairchild Semiconductor - HUF76423P3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Fairchild (onsemi)  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±16V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3  
शृंखला UltraFET™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 30mOhm @ 35A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 85W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
पैकेट Bulk  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1060 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 34 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 35A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Fairchild Semiconductor HUF76423P3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता HUF76423P3 HUF76423D3S HUF76429D3S HUF76429P3
भाग संख्या HUF76423P3 HUF76423D3S HUF76429D3S HUF76429P3
उत्पादक Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 85W (Tc) 85W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)
FET फ़ीचर - - - -
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 34 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 30mOhm @ 35A, 10V 32mOhm @ 20A, 10V 23mOhm @ 20A, 10V 22mOhm @ 47A, 10V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 35A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc) 47A (Tc)
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3
पैकेट Bulk Tube Tube Tube
शृंखला UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1060 pF @ 25 V 1060 pF @ 25 V 1480 pF @ 25 V 1480 pF @ 25 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3 TO-252AA TO-252AA TO-220-3
वीजीएस (मैक्स) ±16V ±16V ±16V ±16V

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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