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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRF530A
Fairchild Semiconductor
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IRF530A - Fairchild Semiconductor

उत्पादक भाग संख्या
IRF530A
उत्पादक
Fairchild (onsemi)
Allelco भाग संख्या
32D-IRF530A
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
IRF530A.pdf
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

IRF530A तकनीकी विनिर्देश
Fairchild Semiconductor - IRF530A तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Fairchild Semiconductor - IRF530A के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Fairchild (onsemi)  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) -  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 110mOhm @ 7A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 55W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
पैकेट Bulk  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 790 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 36 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 14A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Fairchild Semiconductor IRF530A के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRF530A IRF5305STRLPBF IRF530NSTRLPBF IRF530NS
भाग संख्या IRF530A IRF5305STRLPBF IRF530NSTRLPBF IRF530NS
उत्पादक Fairchild Semiconductor Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 55W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 3.8W (Ta), 70W (Tc) 3.8W (Ta), 70W (Tc)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 36 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3 D2PAK D2PAK D2PAK
वीजीएस (मैक्स) - ±20V ±20V ±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 790 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 920 pF @ 25 V 920 pF @ 25 V
FET फ़ीचर - - - -
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 14A (Tc) 31A (Tc) 17A (Tc) 17A (Tc)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 110mOhm @ 7A, 10V 60mOhm @ 16A, 10V 90mOhm @ 9A, 10V 90mOhm @ 9A, 10V
पैकेट Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
शृंखला - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V 55 V 100 V 100 V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET प्रकार N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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