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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलNDP7060
Fairchild Semiconductor
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NDP7060 - Fairchild Semiconductor

उत्पादक भाग संख्या
NDP7060
उत्पादक
Fairchild (onsemi)
Allelco भाग संख्या
32D-NDP7060
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
NDP7060.pdf
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मात्रा

विशेष विवरण

NDP7060 तकनीकी विनिर्देश
Fairchild Semiconductor - NDP7060 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Fairchild Semiconductor - NDP7060 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Fairchild (onsemi)  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 13mOhm @ 40A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 150W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
पैकेट Bulk  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -65°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3600 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 115 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 75A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Fairchild Semiconductor NDP7060 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता NDP7060 NDP7061 NDP6060L NDP7061
भाग संख्या NDP7060 NDP7061 NDP6060L NDP7061
उत्पादक Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
FET फ़ीचर - - - -
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 150W (Tc) 130W (Tc) 100W (Tc) 130W (Tc)
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 75A (Tc) 64A (Tc) 48A (Tc) 64A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 5V, 10V 10V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
शृंखला - - - -
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA
पैकेट Bulk Tube Bulk Tube
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±16V ±20V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 115 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 60 nC @ 5 V 100 nC @ 10 V
परिचालन तापमान -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 13mOhm @ 40A, 10V 16mOhm @ 35A, 10V 20mOhm @ 24A, 10V 16mOhm @ 35A, 10V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3600 pF @ 25 V 1930 pF @ 25 V 2000 pF @ 25 V 1930 pF @ 25 V

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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