PHD34NQ10T,118 तकनीकी विनिर्देश
NXP Semiconductors / Freescale - PHD34NQ10T,118 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और NXP Semiconductors / Freescale - PHD34NQ10T,118 के समान विनिर्देशों के साथ भागों
उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
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उत्पादक | NXP Semiconductors | |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 4V @ 1mA | |
वीजीएस (मैक्स) | ±20V | |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | DPAK | |
शृंखला | TrenchMOS™ | |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 40 mOhm @ 17A, 10V | |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 136W (Tc) | |
पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) | |
पैकेज / प्रकरण | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
दुसरे नाम | 934055807118 PHD34NQ10T /T3 PHD34NQ10T /T3-ND |
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परिचालन तापमान | -55°C ~ 175°C (TJ) |
उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
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माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) | |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant | |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 1704pF @ 25V | |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 40nC @ 10V | |
FET प्रकार | N-Channel | |
FET फ़ीचर | - | |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 10V | |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 100V | |
विस्तृत विवरण | N-Channel 100V 35A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount DPAK | |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 35A (Tc) |
दाईं ओर के तीन भागों में NXP Semiconductors / Freescale PHD34NQ10T,118 के समान विनिर्देश हैं।
उत्पाद विशेषता | ![]() |
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भाग संख्या | PHD34NQ10T,118 | PHD36N03LT,118 | PHD2N60E | PHD38N02LT MOS |
उत्पादक | NXP Semiconductors / Freescale | NXP USA Inc. | LUMILEDS | Freescale / NXP Semiconductors |
शृंखला | TrenchMOS™ | TrenchMOS™ | - | - |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 35A (Tc) | 43.4A (Tc) | - | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 10V | 4.5V, 10V | - | - |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 40nC @ 10V | 18.5 nC @ 10 V | - | - |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | DPAK | DPAK | - | - |
पैकेज / प्रकरण | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - | - |
FET प्रकार | N-Channel | N-Channel | - | - |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 100V | 30 V | - | - |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
वीजीएस (मैक्स) | ±20V | ±20V | - | - |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 1704pF @ 25V | 690 pF @ 25 V | - | - |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 40 mOhm @ 17A, 10V | 17mOhm @ 25A, 10V | - | - |
FET फ़ीचर | - | - | - | - |
पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 136W (Tc) | 57.6W (Tc) | - | - |
दुसरे नाम | 934055807118 PHD34NQ10T /T3 PHD34NQ10T /T3-ND |
- | - | - |
विस्तृत विवरण | N-Channel 100V 35A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount DPAK | - | - | - |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 4V @ 1mA | 2V @ 250µA | - | - |
सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
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क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
ब्राज़िल | 7 | |
यूरोप | जर्मनी | 5 |
यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
इटली | 5 | |
ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
न्यूज़ीलैंड | 5 | |
एशिया | भारत | 4 |
जापान | 4 | |
मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
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शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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