PSMN3R9-60XSQ तकनीकी विनिर्देश
NXP Semiconductors / Freescale - PSMN3R9-60XSQ तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और NXP Semiconductors / Freescale - PSMN3R9-60XSQ के समान विनिर्देशों के साथ भागों
उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
---|---|---|
उत्पादक | NXP Semiconductors | |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 4V @ 1mA | |
वीजीएस (मैक्स) | ±20V | |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-220F | |
शृंखला | - | |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 4 mOhm @ 25A, 10V | |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 55W (Tc) | |
पैकेजिंग | Tube | |
पैकेज / प्रकरण | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | |
दुसरे नाम | 568-11430-5 934068135127 PSMN3R9-60XSQ-ND |
|
परिचालन तापमान | -55°C ~ 175°C (TJ) |
उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
---|---|---|
माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) | |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant | |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 5494pF @ 25V | |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 103nC @ 10V | |
FET प्रकार | N-Channel | |
FET फ़ीचर | - | |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 10V | |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 60V | |
विस्तृत विवरण | N-Channel 60V 75A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220F | |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 75A (Tc) |
दाईं ओर के तीन भागों में NXP Semiconductors / Freescale PSMN3R9-60XSQ के समान विनिर्देश हैं।
उत्पाद विशेषता | ||||
---|---|---|---|---|
भाग संख्या | PSMN3R9-60XSQ | PSMN3R9-60PSQ | PSMN3R9-60PSQ | PSMN4R0-30YLDX |
उत्पादक | NXP Semiconductors / Freescale | NXP USA Inc. | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 60V | 60 V | 60 V | 30 V |
दुसरे नाम | 568-11430-5 934068135127 PSMN3R9-60XSQ-ND |
- | - | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 10V | 10V | 10V | 4.5V, 10V |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-220F | TO-220AB | TO-220AB | LFPAK56, Power-SO8 |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 103nC @ 10V | 103 nC @ 10 V | 103 nC @ 10 V | 19.4 nC @ 10 V |
पैकेज / प्रकरण | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 | TO-220-3 | SC-100, SOT-669 |
पैकेजिंग | Tube | - | - | - |
विस्तृत विवरण | N-Channel 60V 75A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220F | - | - | - |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
FET प्रकार | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 5494pF @ 25V | 5600 pF @ 25 V | 5600 pF @ 25 V | 1272 pF @ 15 V |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 75A (Tc) | 130A (Tc) | 130A (Tc) | 95A (Tc) |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 2.2V @ 1mA |
वीजीएस (मैक्स) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
FET फ़ीचर | - | - | - | - |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 55W (Tc) | 263W (Tc) | 263W (Tc) | 64W (Tc) |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
शृंखला | - | - | - | TrenchMOS™ |
माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 4 mOhm @ 25A, 10V | 3.9mOhm @ 25A, 10V | 3.9mOhm @ 25A, 10V | 4mOhm @ 25A, 10V |
सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
---|---|---|
क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
ब्राज़िल | 7 | |
यूरोप | जर्मनी | 5 |
यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
इटली | 5 | |
ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
न्यूज़ीलैंड | 5 | |
एशिया | भारत | 4 |
जापान | 4 | |
मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
---|---|
शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
एक बेहतर कीमत चाहते हैं? ADD ADA और सबमिट RFQ अब, हम आपसे तुरंत संपर्क करेंगे।