MRF6V3090NR1 तकनीकी विनिर्देश
Freescale Semiconductor - MRF6V3090NR1 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Freescale Semiconductor - MRF6V3090NR1 के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | |
| वोल्टेज - टेस्ट | 50 V | |
| वोल्टेज - रेटेड | 110 V | |
| प्रौद्योगिकी | LDMOS | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-270 WB-4 | |
| शृंखला | - | |
| बिजली उत्पादन | 18W | |
| पैकेज / प्रकरण | TO-270AB |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| पैकेट | Bulk | |
| शोर का आंकड़ा | - | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | |
| लाभ | 22dB | |
| आवृत्ति | 860MHz | |
| वर्तमान रेटिंग (AMPS) | - | |
| वर्तमान - टेस्ट | 350 mA |
दाईं ओर के तीन भागों में Freescale Semiconductor MRF6V3090NR1 के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता |  |
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|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | MRF6V3090NR1 | MRF6VP121KHR5 | MRF6VP2600HR5 | MRF6V3090NR5 |
| उत्पादक | Freescale Semiconductor | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. |
| वर्तमान - टेस्ट | 350 mA | 150 mA | 2.6 A | 350 mA |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-270 WB-4 | NI-1230 | NI-1230 | TO-270 WB-4 |
| आवृत्ति | 860MHz | 1.03GHz | 225MHz | 860MHz |
| लाभ | 22dB | 20dB | 25dB | 22dB |
| वोल्टेज - टेस्ट | 50 V | 50 V | 50 V | 50 V |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | - | Chassis Mount | Surface Mount |
| प्रौद्योगिकी | LDMOS | LDMOS | LDMOS | LDMOS |
| वोल्टेज - रेटेड | 110 V | 110 V | 110 V | 110 V |
| पैकेट | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| शृंखला | - | - | - | - |
| शोर का आंकड़ा | - | - | - | - |
| पैकेज / प्रकरण | TO-270AB | NI-1230 | NI-1230 | TO-270AB |
| वर्तमान रेटिंग (AMPS) | - | - | - | - |
| बिजली उत्पादन | 18W | 1000W | 125W | 18W |
MRF6VP121KHR5NXP USA Inc.FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI1230HMRF6VP2600HR5NXP USA Inc.FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230MRF6V3090NR5NXP USA Inc.FET RF 110V 860MHZ TO270-4MRF6VP11KHR5NXP USA Inc.RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORMRF6V2010NR1NXP USA Inc.FET RF 110V 220MHZ TO270-2
MRF6VP121KHR5Freescale SemiconductorRF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORMRF6VP2600HR6NXP USA Inc.FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230MRF6VP121KHR6NXP USA Inc.FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230MRF6V2150NBR5NXP USA Inc.FET RF 110V 220MHZ TO272-4MRF6VP2600HR5Freescale SemiconductorRF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORMRF6VP11KHR5Freescale SemiconductorRF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORMRF6V14300HSFreescale SemiconductorFET RF 100V 1.4GHZ NI780SMRF6V3090NR1NXP SemiconductorsMRF6V3090N - BROADBAND RF POWERMRF6V3090NBR1NXP USA Inc.RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4MRF6V3090NBR5NXP USA Inc.FET RF 110V 860MHZ TO272-4MRF6V2150NBR5Freescale SemiconductorRF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-MRF6V2010NBR5NXP USA Inc.FET RF 110V 220MHZ TO-272-2MRF6V3090NBR1Freescale SemiconductorRF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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