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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलG1002L
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G1002L - Goford Semiconductor

उत्पादक भाग संख्या
G1002L
उत्पादक
Goford Semiconductor
Allelco भाग संख्या
32D-G1002L
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
N100V,RD(MAX)<250M@10V,VTH1.2V~2
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
विवरण तालिका
G1002L.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 1340950

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मात्रा

विशेष विवरण

G1002L तकनीकी विनिर्देश
Goford Semiconductor - G1002L तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Goford Semiconductor - G1002L के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Goford Semiconductor  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज SOT-23-3L  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 250mOhm @ 2A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 1.3W  
पैकेज / प्रकरण TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 413 pF @ 50 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 10 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 2A  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Goford Semiconductor G1002L के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता G1002L G1003A G1003B G100N04
भाग संख्या G1002L G1003A G1003B G100N04
उत्पादक Goford Semiconductor Goford Semiconductor Goford Semiconductor Goford Semiconductor
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 10 nC @ 10 V 18.2 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V -
शृंखला - - - -
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 413 pF @ 50 V 622 pF @ 25 V 760 pF @ 50 V -
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 2A 3A (Tc) 3A -
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 250mOhm @ 2A, 10V 210mOhm @ 3A, 10V 130mOhm @ 1A, 10V -
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA -
प्रदायक डिवाइस पैकेज SOT-23-3L SOT-23-3 SOT-23-3L -
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 1.3W 5W (Tc) 3.3W -
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V -
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
पैकेज / प्रकरण TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel -
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V 100 V 100 V -

G1002L डेटशीट पीडीएफ

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डाटा शीट
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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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