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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलHUF75307D3ST
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HUF75307D3ST - Harris Corporation

उत्पादक भाग संख्या
HUF75307D3ST
उत्पादक
Harris Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-HUF75307D3ST
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 55V 15A TO252
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
विवरण तालिका
HUF75307D3ST.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

HUF75307D3ST तकनीकी विनिर्देश
Harris Corporation - HUF75307D3ST तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Harris Corporation - HUF75307D3ST के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Harris Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-252, (D-Pak)  
शृंखला UltraFET™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 90mOhm @ 13A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 45W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेट Bulk  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 250 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 20 nC @ 20 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 55 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 15A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Harris Corporation HUF75307D3ST के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता HUF75307D3ST HUF75229P3 HUF75229P3 HUF75309D3
भाग संख्या HUF75307D3ST HUF75229P3 HUF75229P3 HUF75309D3
उत्पादक Harris Corporation onsemi Fairchild Semiconductor Harris Corporation
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 20 nC @ 20 V 75 nC @ 20 V 75 nC @ 20 V 24 nC @ 20 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 250 pF @ 25 V 1060 pF @ 25 V 1060 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-252, (D-Pak) TO-220-3 TO-220-3 I-PAK
FET फ़ीचर - - - -
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 55 V 50 V 50 V 55 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
पैकेज / प्रकरण TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 TO-220-3 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
पैकेट Bulk Tube Tube Bulk
शृंखला UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ -
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 90mOhm @ 13A, 10V 22mOhm @ 44A, 10V 22mOhm @ 44A, 10V 70mOhm @ 17A, 10V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 15A (Tc) 44A (Tc) 44A (Tc) 17A (Tc)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 45W (Tc) 90W (Tc) 90W (Tc) 45W (Tc)
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

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डिलिवरी विधि

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  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
टिप्पणी:
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    +00852 9146 4856

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HUF75307D3ST

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