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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलHUF75309P3
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HUF75309P3 - Harris Corporation

उत्पादक भाग संख्या
HUF75309P3
उत्पादक
Harris Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-HUF75309P3
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
HUF75309P3.pdf
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स्टॉक में: 5190

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मात्रा

विशेष विवरण

HUF75309P3 तकनीकी विनिर्देश
Harris Corporation - HUF75309P3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Harris Corporation - HUF75309P3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Harris Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3  
शृंखला UltraFET™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 70mOhm @ 19A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 55W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेट Tube  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 350 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 24 nC @ 20 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 55 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 19A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Harris Corporation HUF75309P3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता HUF75309P3 HUF75321D3S HUF75321D3S HUF75321D3ST
भाग संख्या HUF75309P3 HUF75321D3S HUF75321D3S HUF75321D3ST
उत्पादक Harris Corporation onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3 TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
शृंखला UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 24 nC @ 20 V 44 nC @ 20 V 44 nC @ 20 V 44 nC @ 20 V
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
पैकेट Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 55W (Tc) 93W (Tc) 93W (Tc) 93W (Tc)
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET फ़ीचर - - - -
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 19A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 350 pF @ 25 V 680 pF @ 25 V 680 pF @ 25 V 680 pF @ 25 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 70mOhm @ 19A, 10V 36mOhm @ 20A, 10V 36mOhm @ 20A, 10V 36mOhm @ 20A, 10V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
टिप्पणी:
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