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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRF244
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IRF244 - Harris Corporation

उत्पादक भाग संख्या
IRF244
उत्पादक
Harris Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-IRF244
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
N-CHANNEL POWER MOSFET
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-204AA, TO-3
विवरण तालिका
IRF244.pdf
तुलना
स्टॉक में: 11072

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मात्रा

विशेष विवरण

IRF244 तकनीकी विनिर्देश
Harris Corporation - IRF244 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Harris Corporation - IRF244 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Harris Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-3  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 280mOhm @ 8A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 125W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-204AA, TO-3  
पैकेट Bulk  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1300 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 59 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 250 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 8.8A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Harris Corporation IRF244 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRF244 IRF250P224 IRF230 IRF250P225
भाग संख्या IRF244 IRF250P224 IRF230 IRF250P225
उत्पादक Harris Corporation Infineon Technologies Harris Corporation Infineon Technologies
FET फ़ीचर - - - -
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 270µA 4V @ 250µA 4V @ 270µA
पैकेज / प्रकरण TO-204AA, TO-3 TO-247-3 TO-204AA, TO-3 TO-247-3
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 8.8A (Tc) 96A (Tc) 9A (Tc) 69A (Tc)
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 125W (Tc) 313W (Tc) 75W (Tc) 313W (Tc)
शृंखला - StrongIRFET™ - StrongIRFET™
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 59 nC @ 10 V 203 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 96 nC @ 10 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 280mOhm @ 8A, 10V 12mOhm @ 58A, 10V 400mOhm @ 5A, 10V 22mOhm @ 41A, 10V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 250 V 250 V 200 V 250 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1300 pF @ 25 V 9915 pF @ 50 V 600 pF @ 25 V 4897 pF @ 50 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-3 TO-247AC TO-3 TO-247AC
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V - 10V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
पैकेट Bulk Tube Bag Tube
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
टिप्पणी:
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अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

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