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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRF530
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IRF530 - Harris Corporation

उत्पादक भाग संख्या
IRF530
उत्पादक
Harris Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-IRF530
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
IRF530.pdf
तुलना
स्टॉक में: 79140

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मात्रा

विशेष विवरण

IRF530 तकनीकी विनिर्देश
Harris Corporation - IRF530 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Harris Corporation - IRF530 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Harris Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220AB  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 180mOhm @ 8A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 75W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेट Tube  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 800 pF @ 25 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 14A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Harris Corporation IRF530 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRF530 IRF5305LPBF IRF523 IRF530
भाग संख्या IRF530 IRF5305LPBF IRF523 IRF530
उत्पादक Harris Corporation Infineon Technologies Harris Corporation Vishay Siliconix
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 800 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 75W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 60W (Tc) 88W (Tc)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 180mOhm @ 8A, 10V 60mOhm @ 16A, 10V 360mOhm @ 5.6A, 10V 160mOhm @ 8.4A, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V 55 V 80 V 100 V
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3 TO-220-3
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
पैकेट Tube Tube Bulk Tube
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220AB TO-262 TO-220 TO-220AB
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 14A (Tc) 31A (Tc) 8A (Tc) 14A (Tc)
शृंखला - HEXFET® - -
FET फ़ीचर - - - -
FET प्रकार N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel

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डिलिवरी विधि

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  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
टिप्पणी:
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अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

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