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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRF630
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IRF630 - Harris Corporation

उत्पादक भाग संख्या
IRF630
उत्पादक
Harris Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-IRF630
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
IRF630.pdf
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विशेष विवरण

IRF630 तकनीकी विनिर्देश
Harris Corporation - IRF630 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Harris Corporation - IRF630 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Harris Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220AB  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 400mOhm @ 5.4A, 10V  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 800 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 43 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 200 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 9A (Tc)  

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण

गुण विवरण
RoHs स्थिति RoHS गैर-आज्ञाकारी
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
तक पहुँचने की स्थिति
ECCN EAR99
HTSUS

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Harris Corporation IRF630 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRF630 IRF623 IRF630 IRF630A
भाग संख्या IRF630 IRF623 IRF630 IRF630A
उत्पादक Harris Corporation Harris Corporation STMicroelectronics Fairchild Semiconductor
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220AB TO-220-3 TO-220 TO-220
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 400mOhm @ 5.4A, 10V 1.2Ohm @ 2.5A, 10V 400mOhm @ 4.5A, 10V 400mOhm @ 4.5A, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 200 V 150 V 200 V 200 V
शृंखला - - MESH OVERLAY™ II -
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 9A (Tc) 4A (Tc) 9A (Tc) 9A (Tc)
पैकेट Tube Bulk Tube Bulk
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 43 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET फ़ीचर - - - -
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 800 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 650 pF @ 25 V

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डिलिवरी विधि

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  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
टिप्पणी:
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