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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRF631
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IRF631 - Harris Corporation

उत्पादक भाग संख्या
IRF631
उत्पादक
Harris Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-IRF631
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
N-CHANNEL POWER MOSFET
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
IRF631.pdf
तुलना
स्टॉक में: 39550

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मात्रा

विशेष विवरण

IRF631 तकनीकी विनिर्देश
Harris Corporation - IRF631 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Harris Corporation - IRF631 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Harris Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220AB  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 400mOhm @ 5A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 75W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
पैकेट Bulk  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 600 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 30 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 150 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 9A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Harris Corporation IRF631 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRF631 IRF634 IRF630NSTRRPBF IRF630STRRPBF
भाग संख्या IRF631 IRF634 IRF630NSTRRPBF IRF630STRRPBF
उत्पादक Harris Corporation Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 600 pF @ 25 V 770 pF @ 25 V 575 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 150 V 250 V 200 V 200 V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 30 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 400mOhm @ 5A, 10V 450mOhm @ 5.1A, 10V 300mOhm @ 5.4A, 10V 400mOhm @ 5.4A, 10V
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 75W (Tc) 74W (Tc) 82W (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc)
पैकेट Bulk Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220AB TO-220AB D2PAK D²PAK (TO-263)
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
शृंखला - - HEXFET® -
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 9A (Tc) 8.1A (Tc) 9.3A (Tc) 9A (Tc)
FET फ़ीचर - - - -

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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