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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRF731
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IRF731 - Harris Corporation

उत्पादक भाग संख्या
IRF731
उत्पादक
Harris Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-IRF731
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
N-CHANNEL POWER MOSFET
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
IRF731.pdf
तुलना
स्टॉक में: 21128

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मात्रा

विशेष विवरण

IRF731 तकनीकी विनिर्देश
Harris Corporation - IRF731 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Harris Corporation - IRF731 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Harris Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220AB  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 1Ohm @ 3A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 75W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
पैकेट Bulk  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 600 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 35 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 350 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 5.5A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Harris Corporation IRF731 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRF731 IRF730STRRPBF IRF730S IRF730BPBF
भाग संख्या IRF731 IRF730STRRPBF IRF730S IRF730BPBF
उत्पादक Harris Corporation Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 5.5A (Tc) 5.5A (Tc) 5.5A (Tc) 6A (Tc)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 75W (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) 104W (Tc)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 1Ohm @ 3A, 10V 1Ohm @ 3.3A, 10V 1Ohm @ 3.3A, 10V 1Ohm @ 3A, 10V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 350 V 400 V 400 V 400 V
FET फ़ीचर - - - -
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 35 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V
पैकेट Bulk Tape & Reel (TR) Tube Tube
शृंखला - - - -
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220AB D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) TO-220AB
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 600 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 311 pF @ 100 V
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±30V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
टिप्पणी:
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32D-IRF731

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