Name: Harris Corporation IRF820
Brand: Harris Corporation
SKU: IRF820

IRF820 ~~- Harris Corporation~~

उत्पादक भाग संख्या

IRF820

उत्पादक

Harris Corporation

Allelco भाग संख्या

32D-IRF820

ईसीएडी मॉडल

भागों का विवरण

2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL

विस्तृत विवरण

पैकेज

TO-220-3

विवरण तालिका

~~IRF820.pdf~~

~~तुलना~~

विशेष विवरण

IRF820 तकनीकी विनिर्देश
Harris Corporation - IRF820 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Harris Corporation - IRF820 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता

मान बताइए

उत्पादक

Harris Corporation

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±30V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-220AB

शृंखला

PowerMESH™ II

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

3Ohm @ 1.5A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

80W (Tc)

पैकेज / प्रकरण

TO-220-3

पैकेट

Bulk

उत्पाद विशेषता

मान बताइए

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

315 pF @ 25 V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

17 nC @ 10 V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

500 V

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

4A (Tc)

आधार उत्पाद संख्या

IRF8

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Harris Corporation IRF820 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	IRF820	IRF8113GPBF	IRF820	IRF820B
उत्पादक	Harris Corporation	International Rectifier	STMicroelectronics	Fairchild Semiconductor
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	4A (Tc)	17.2A (Ta)	4A (Tc)	-
आधार उत्पाद संख्या	IRF8	-	IRF8	-
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	17 nC @ 10 V	36 nC @ 4.5 V	17 nC @ 10 V	-
वीजीएस (मैक्स)	±30V	±20V	±30V	-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	3Ohm @ 1.5A, 10V	5.6mOhm @ 17.2A, 10V	3Ohm @ 1.5A, 10V	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V	4.5V, 10V	10V	-
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole	Surface Mount	Through Hole	-
प्रदायक डिवाइस पैकेज	TO-220AB	8-SO	TO-220	-
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	4V @ 250µA	2.2V @ 250µA	4V @ 250µA	-
पैकेट	Bulk	Tube	Tube	Bulk
FET फ़ीचर	-	-	-	-
पैकेज / प्रकरण	TO-220-3	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	TO-220-3	-
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	80W (Tc)	2.5W (Ta)	80W (Tc)	-
शृंखला	PowerMESH™ II	HEXFET®	PowerMESH™ II	*
परिचालन तापमान	150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	150°C (TJ)	-
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	500 V	30 V	500 V	-
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	315 pF @ 25 V	2910 pF @ 15 V	315 pF @ 25 V	-
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	-
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	-

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

यदि आपके पास एक है तो शिपमेंट के लिए अपने एक्सप्रेस खाते का उपयोग करें।
शिपमेंट के लिए हमारे खाते का उपयोग करें।अनुमानित शुल्क के लिए नीचे दी गई तालिका देखें।

(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

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