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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRFP341
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IRFP341 - Harris Corporation

उत्पादक भाग संख्या
IRFP341
उत्पादक
Harris Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-IRFP341
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
N-CHANNEL POWER MOSFET
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-247-3
विवरण तालिका
IRFP341.pdf
तुलना
स्टॉक में: 28725

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मात्रा

विशेष विवरण

IRFP341 तकनीकी विनिर्देश
Harris Corporation - IRFP341 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Harris Corporation - IRFP341 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Harris Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 550mOhm @ 5.5A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 150W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-247-3  
पैकेट Bulk  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1250 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 63 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 350 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 11A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Harris Corporation IRFP341 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRFP341 IRFP350PBF IRFP3415PBF IRFP350LC
भाग संख्या IRFP341 IRFP350PBF IRFP3415PBF IRFP350LC
उत्पादक Harris Corporation Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 550mOhm @ 5.5A, 10V 300mOhm @ 9.6A, 10V 42mOhm @ 22A, 10V 300mOhm @ 9.6A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 150W (Tc) 190W (Tc) 200W (Tc) 190W (Tc)
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247 TO-247AC TO-247AC TO-247AC
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 11A (Tc) 16A (Tc) 43A (Tc) 16A (Tc)
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET फ़ीचर - - - -
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 63 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 76 nC @ 10 V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 350 V 400 V 150 V 400 V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±30V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1250 pF @ 25 V 2600 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V
पैकेट Bulk Tube Tube Tube
पैकेज / प्रकरण TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
शृंखला - - HEXFET® -

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
टिप्पणी:
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