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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIXFB44N100P
IXYS
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IXFB44N100P - IXYS

उत्पादक भाग संख्या
IXFB44N100P
उत्पादक
IXYS Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-IXFB44N100P
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-264-3, TO-264AA
विवरण तालिका
IXFB44N100P.pdf
RoHs स्थिति
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विशेष विवरण

IXFB44N100P तकनीकी विनिर्देश
IXYS - IXFB44N100P तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और IXYS - IXFB44N100P के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक IXYS Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 6.5V @ 1mA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज PLUS264™  
शृंखला HiPerFET™, Polar  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 220mOhm @ 22A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 1250W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-264-3, TO-264AA  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 19000 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 305 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 1000 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 44A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IXFB44  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में IXYS IXFB44N100P के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IXFB44N100P IXFB70N60Q2 IXFA7N80P IXFB50N80Q2
भाग संख्या IXFB44N100P IXFB70N60Q2 IXFA7N80P IXFB50N80Q2
उत्पादक IXYS IXYS IXYS IXYS
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 1250W (Tc) 890W (Tc) 200W (Tc) 1135W (Tc)
शृंखला HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q2 Class
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 305 nC @ 10 V 265 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET फ़ीचर - - - -
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
पैकेट Tube Tube Tube Tube
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 19000 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V 1890 pF @ 25 V 7200 pF @ 25 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 220mOhm @ 22A, 10V 88mOhm @ 35A, 10V 1.44Ohm @ 3.5A, 10V 160mOhm @ 500mA, 10V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 6.5V @ 1mA 5.5V @ 8mA 5V @ 1mA 5.5V @ 8mA
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
आधार उत्पाद संख्या IXFB44 IXFB70 IXFA7N80 IXFB50
प्रदायक डिवाइस पैकेज PLUS264™ PLUS264™ TO-263AA (IXFA) PLUS264™
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 1000 V 600 V 800 V 800 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 44A (Tc) 70A (Tc) 7A (Tc) 50A (Tc)
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±30V ±30V
पैकेज / प्रकरण TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-264-3, TO-264AA

IXFB44N100P डेटशीट पीडीएफ

IXFB44N100P - IXYS के लिए IXFB44N100P PDF DataSheets और IXYS प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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