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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIXFN82N60P
IXYS
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IXFN82N60P - IXYS

उत्पादक भाग संख्या
IXFN82N60P
उत्पादक
IXYS Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-IXFN82N60P
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
विस्तृत विवरण
पैकेज
SOT-227-4, miniBLOC
विवरण तालिका
IXFN82N60P.pdf
RoHs स्थिति
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मात्रा

विशेष विवरण

IXFN82N60P तकनीकी विनिर्देश
IXYS - IXFN82N60P तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और IXYS - IXFN82N60P के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक IXYS Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 8mA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज SOT-227B  
शृंखला HiPerFET™, Polar  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 75mOhm @ 41A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 1040W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण SOT-227-4, miniBLOC  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Chassis Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 23000 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 240 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 72A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IXFN82  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में IXYS IXFN82N60P के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IXFN82N60P IXFN80N50Q3 IXFP12N50PM IXFN90N85X
भाग संख्या IXFN82N60P IXFN80N50Q3 IXFP12N50PM IXFN90N85X
उत्पादक IXYS IXYS IXYS IXYS
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
आधार उत्पाद संख्या IXFN82 IXFN80 IXFP12 IXFN90
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
प्रदायक डिवाइस पैकेज SOT-227B SOT-227B TO-220-3 SOT-227B
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 8mA 6.5V @ 8mA 5.5V @ 1mA 5.5V @ 8mA
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±30V ±30V
शृंखला HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q3 Class HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Ultra X
पैकेज / प्रकरण SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-220-3 SOT-227-4, miniBLOC
पैकेट Tube Tube Tube Tube
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 23000 pF @ 25 V 10000 pF @ 25 V 1830 pF @ 25 V 13300 pF @ 25 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 1040W (Tc) 780W (Tc) 50W (Tc) 1200W (Tc)
माउन्टिंग का प्रकार Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Chassis Mount
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 72A (Tc) 63A (Tc) 6A (Tc) 90A (Tc)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 75mOhm @ 41A, 10V 65mOhm @ 40A, 10V 500mOhm @ 6A, 10V 41mOhm @ 500mA, 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 240 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 340 nC @ 10 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET फ़ीचर - - - -
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V 500 V 500 V 850 V

IXFN82N60P डेटशीट पीडीएफ

IXFN82N60P - IXYS के लिए IXFN82N60P PDF DataSheets और IXYS प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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