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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIXFQ50N60X
IXYS
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IXFQ50N60X - IXYS

उत्पादक भाग संख्या
IXFQ50N60X
उत्पादक
IXYS Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-IXFQ50N60X
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-3P-3, SC-65-3
विवरण तालिका
IXF(H,Q,T)50N60X.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

IXFQ50N60X तकनीकी विनिर्देश
IXYS - IXFQ50N60X तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और IXYS - IXFQ50N60X के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक IXYS Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 4mA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-3P  
शृंखला HiPerFET™, Ultra X  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 73mOhm @ 25A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 660W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-3P-3, SC-65-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 4660 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 116 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 50A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IXFQ50  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में IXYS IXFQ50N60X के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IXFQ50N60X IXFP7N80PM IXFR12N100Q IXFR120N20
भाग संख्या IXFQ50N60X IXFP7N80PM IXFR12N100Q IXFR120N20
उत्पादक IXYS IXYS IXYS IXYS
पैकेज / प्रकरण TO-3P-3, SC-65-3 TO-220-3 TO-247-3 TO-247-3
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-3P TO-220-3 ISOPLUS247™ ISOPLUS247™
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V 800 V 1000 V 200 V
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±20V ±20V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 660W (Tc) 50W (Tc) 250W (Tc) 417W (Tc)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 4mA 5V @ 1mA 5.5V @ 4mA 4V @ 8mA
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 73mOhm @ 25A, 10V 1.44Ohm @ 3.5A, 10V 1.1Ohm @ 6A, 10V 17mOhm @ 60A, 10V
पैकेट Tube Tube Tube Tube
आधार उत्पाद संख्या IXFQ50 IXFP7N80 IXFR12 IXFR120
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 116 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 50A (Tc) 3.5A (Tc) 10A (Tc) 105A (Tc)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 4660 pF @ 25 V 1890 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V
FET फ़ीचर - - - -
शृंखला HiPerFET™, Ultra X HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q Class HiPerFET™
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IXFQ50N60X डेटशीट पीडीएफ

IXFQ50N60X - IXYS के लिए IXFQ50N60X PDF DataSheets और IXYS प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
IXF(H,Q,T)50N60X.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf

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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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