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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIXUN350N10
IXYS
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IXUN350N10 - IXYS

उत्पादक भाग संख्या
IXUN350N10
उत्पादक
IXYS Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-IXUN350N10
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 100V 350A SOT-227B
विस्तृत विवरण
पैकेज
SOT-227-4, miniBLOC
विवरण तालिका
IXUN350N10.pdf
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विशेष विवरण

IXUN350N10 तकनीकी विनिर्देश
IXYS - IXUN350N10 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और IXYS - IXUN350N10 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक IXYS Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 3mA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज SOT-227B  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 2.5mOhm @ 175A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 830W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण SOT-227-4, miniBLOC  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Chassis Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 27000 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 640 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 350A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IXUN350  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में IXYS IXUN350N10 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IXUN350N10 IXUC160N075 SI4464DY-T1-E3 SQD45P03-12_GE3
भाग संख्या IXUN350N10 IXUC160N075 SI4464DY-T1-E3 SQD45P03-12_GE3
उत्पादक IXYS IXYS Vishay Siliconix Vishay Siliconix
पैकेज / प्रकरण SOT-227-4, miniBLOC ISOPLUS220™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 2.5mOhm @ 175A, 10V 6.5mOhm @ 100A, 10V 240mOhm @ 2.2A, 10V 10mOhm @ 15A, 10V
प्रदायक डिवाइस पैकेज SOT-227B ISOPLUS220™ 8-SOIC TO-252AA
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 3mA 4V @ 2mA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
आधार उत्पाद संख्या IXUN350 IXUC160 SI4464 SQD45
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 640 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 83 nC @ 10 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 830W (Tc) 300W (Tc) 1.5W (Ta) 71W (Tc)
पैकेट Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 350A (Tc) 160A (Tc) 1.7A (Ta) 50A (Tc)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 27000 pF @ 25 V - - 3495 pF @ 15 V
FET फ़ीचर - - - -
शृंखला - - TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
माउन्टिंग का प्रकार Chassis Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V 75 V 200 V 30 V

IXUN350N10 डेटशीट पीडीएफ

IXUN350N10 - IXYS के लिए IXUN350N10 PDF DataSheets और IXYS प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
IXUN350N10.pdf

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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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