HFA1100IBZ तकनीकी विनिर्देश
Intersil - HFA1100IBZ तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Intersil - HFA1100IBZ के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Intersil (Renesas Electronics Corporation) | |
| वोल्टेज - आपूर्ति अवधि (न्यूनतम) | 4.5 V | |
| वोल्टेज - आपूर्ति अवधि (अधिकतम) | 11 V | |
| वोल्टेज - इनपुट ऑफसेट | 2 mV | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | 8-SOIC | |
| परिवर्तन दर | 2300V/µs | |
| शृंखला | - | |
| पैकेज / प्रकरण | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| पैकेट | Tube |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादन का प्रकार | - | |
| परिचालन तापमान | -40°C ~ 85°C | |
| सर्किट की संख्या | 1 | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | |
| वर्तमान पीढ़ी | 21mA | |
| वर्तमान - आउटपुट / चैनल | 60 mA | |
| वर्तमान - इनपुट पूर्वाग्रह | 25 µA | |
| एम्पलीफायर प्रकार | Current Feedback | |
| -3 db बैंडविड्थ | 850 MHz |
दाईं ओर के तीन भागों में Intersil HFA1100IBZ के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | HFA1100IBZ | HFA1100IB | HFA1103IB | HFA1100IP |
| उत्पादक | Intersil | Harris Corporation | Intersil | Renesas Electronics America Inc |
| -3 db बैंडविड्थ | 850 MHz | 850 MHz | 200 MHz | 850 MHz |
| एम्पलीफायर प्रकार | Current Feedback | Current Feedback | Current Feedback | Current Feedback |
| वर्तमान - आउटपुट / चैनल | 60 mA | 60 mA | 60 mA | 60 mA |
| पैकेज / प्रकरण | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| वोल्टेज - आपूर्ति अवधि (न्यूनतम) | 4.5 V | 4.5 V | 9 V | 4.5 V |
| उत्पादन का प्रकार | - | - | - | - |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-PDIP |
| वोल्टेज - इनपुट ऑफसेट | 2 mV | 2 mV | 10 mV | 2 mV |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| पैकेट | Tube | Bulk | Bulk | Tube |
| वर्तमान पीढ़ी | 21mA | 21mA | 11mA | 21mA |
| परिवर्तन दर | 2300V/µs | 2300V/µs | 600V/µs | 2300V/µs |
| शृंखला | - | - | - | - |
| वोल्टेज - आपूर्ति अवधि (अधिकतम) | 11 V | 11 V | 11 V | 11 V |
| परिचालन तापमान | -40°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C |
| वर्तमान - इनपुट पूर्वाग्रह | 25 µA | 25 µA | 5 µA | 25 µA |
| सर्किट की संख्या | 1 | 1 | 1 | 1 |
HFA1100IBHarris CorporationIC OPAMP CFA 1 CIRCUIT 8SOICHFA1100MJ/883Intersil (Renesas Electronics Corporation)HFA1103IBIntersilIC OPAMP CFA 1 CIRCUIT 8SOICHFA1100IPRenesas Electronics America IncIC OPAMP CFA 1 CIRCUIT 8DIP
HFA1100IBRenesas Electronics America IncIC OPAMP CFA 1 CIRCUIT 8SOICHFA08TB60SPBFIR
HFA105NH60Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 105A D-67HFA1102IJHARHFA1100IPIntersilIC OPAMP CFA 1 CIRCUIT 8DIPHFA100MD60DVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE MODULE 600V 83A TO244ABHFA105NH60RVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 105A D-67HFA1102IBHarris CorporationIC OPAMP CFA 1 CIRCUIT 8SOICHFA100MD60CVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE MODULE 600V 83A TO244ABHFA1100IBZRenesas Electronics America IncIC OPAMP CFA 1 CIRCUIT 8SOICHFA1100IJHarris CorporationIC OPAMP CFA 1 CIRCUIT 8CERDIP
HFA08TB60SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A TO263ABHFA1100IPHarris CorporationIC OPAMP CFA 1 CIRCUIT 8DIPHFA08TB60STRLVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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