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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलR6035ENZ1C9
Rohm Semiconductor
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R6035ENZ1C9 - Rohm Semiconductor

उत्पादक भाग संख्या
R6035ENZ1C9
उत्पादक
LAPIS Technology
Allelco भाग संख्या
32D-R6035ENZ1C9
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-247-3
विवरण तालिका
R6035ENZ1C9.pdf
RoHs स्थिति
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मात्रा

विशेष विवरण

R6035ENZ1C9 तकनीकी विनिर्देश
Rohm Semiconductor - R6035ENZ1C9 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Rohm Semiconductor - R6035ENZ1C9 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक LAPIS Technology  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 1mA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 102mOhm @ 18.1A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 120W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-247-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2720 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 110 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 35A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Rohm Semiconductor R6035ENZ1C9 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता R6035ENZ1C9 R6035KNZ1C9 R6076MNZ1C9 R6047ENZ1C9
भाग संख्या R6035ENZ1C9 R6035KNZ1C9 R6076MNZ1C9 R6047ENZ1C9
उत्पादक Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 120W (Tc) 379W (Tc) 740W (Tc) 120W (Tc)
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±30V ±20V
पैकेट Tube Tube Tube Tube
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 1mA 5V @ 1mA 5V @ 1mA 4V @ 1mA
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 110 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 115 nC @ 10 V 145 nC @ 10 V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 102mOhm @ 18.1A, 10V 102mOhm @ 18.1A, 10V 55mOhm @ 38A, 10V 72mOhm @ 25.8A, 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2720 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V 3850 pF @ 25 V
पैकेज / प्रकरण TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
परिचालन तापमान 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
FET फ़ीचर - - - -
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 35A (Tc) 35A (Tc) 76A (Tc) 47A (Tc)
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247 TO-247 TO-247 TO-247
शृंखला - - - -

R6035ENZ1C9 डेटशीट पीडीएफ

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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
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