Name: Rohm Semiconductor RDN100N20
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RDN100N20

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

यदि आपके पास एक है तो शिपमेंट के लिए अपने एक्सप्रेस खाते का उपयोग करें।
शिपमेंट के लिए हमारे खाते का उपयोग करें।अनुमानित शुल्क के लिए नीचे दी गई तालिका देखें।

(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	LAPIS Technology
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	4V @ 1mA
वीजीएस (मैक्स)	±30V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	TO-220FN
शृंखला	-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	360mOhm @ 5A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	35W (Tc)
पैकेज / प्रकरण	TO-220-3 Full Pack
पैकेट	Bulk

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	543 pF @ 10 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	30 nC @ 10 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	200 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	10A (Ta)
आधार उत्पाद संख्या	RDN100

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	RDN100N20	FQPF4N80	IXTP120N04T2	IRFP4228PBF
उत्पादक	Rohm Semiconductor	onsemi	IXYS	Infineon Technologies
FET फ़ीचर	-	-	-	-
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	543 pF @ 10 V	880 pF @ 25 V	3240 pF @ 25 V	4530 pF @ 25 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	30 nC @ 10 V	25 nC @ 10 V	58 nC @ 10 V	107 nC @ 10 V
वीजीएस (मैक्स)	±30V	±30V	±20V	±30V
प्रदायक डिवाइस पैकेज	TO-220FN	TO-220F-3	TO-220-3	TO-247AC
परिचालन तापमान	150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-40°C ~ 175°C (TJ)
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
पैकेट	Bulk	Tube	Tube	Bag
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	10A (Ta)	2.2A (Tc)	120A (Tc)	78A (Tc)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	360mOhm @ 5A, 10V	3.6Ohm @ 1.1A, 10V	6.1mOhm @ 25A, 10V	15.5mOhm @ 33A, 10V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
आधार उत्पाद संख्या	RDN100	FQPF4	IXTP120	-
पैकेज / प्रकरण	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3	TO-247-3
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	4V @ 1mA	5V @ 250µA	4V @ 250µA	5V @ 250µA
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	200 V	800 V	40 V	150 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	35W (Tc)	43W (Tc)	200W (Tc)	310W (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V	10V	10V	10V
शृंखला	-	QFET®	TrenchT2™	HEXFET®

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