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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलRUC002N05T116
Rohm Semiconductor
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RUC002N05T116 - Rohm Semiconductor

उत्पादक भाग संख्या
RUC002N05T116
उत्पादक
LAPIS Technology
Allelco भाग संख्या
32D-RUC002N05T116
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
विवरण तालिका
RUC002N05T116.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 576100

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मात्रा

विशेष विवरण

RUC002N05T116 तकनीकी विनिर्देश
Rohm Semiconductor - RUC002N05T116 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Rohm Semiconductor - RUC002N05T116 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक LAPIS Technology  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 1V @ 1mA  
वीजीएस (मैक्स) ±8V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज SST3  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 200mW (Ta)  
पैकेज / प्रकरण TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 25 pF @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 1.2V, 4.5V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 50 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 200mA (Ta)  
आधार उत्पाद संख्या RUC002  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Rohm Semiconductor RUC002N05T116 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता RUC002N05T116 SPP21N10 IXFK16N90Q TSM80N950CP
भाग संख्या RUC002N05T116 SPP21N10 IXFK16N90Q TSM80N950CP
उत्पादक Rohm Semiconductor Infineon Technologies IXYS Taiwan Semiconductor Corporation
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET फ़ीचर - - - -
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 25 pF @ 10 V 865 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V 691 pF @ 100 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V 80mOhm @ 15A, 10V 650mOhm @ 8A, 10V 950mOhm @ 3A, 10V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 200mA (Ta) 21A (Tc) 16A (Tc) 6A (Tc)
पैकेट Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 1V @ 1mA 4V @ 44µA 5V @ 4mA 4V @ 250µA
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 50 V 100 V 900 V 800 V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 1.2V, 4.5V 10V 10V 10V
पैकेज / प्रकरण TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-220-3 TO-264-3, TO-264AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 200mW (Ta) 90W (Tc) 360W (Tc) 110W (Tc)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
वीजीएस (मैक्स) ±8V ±20V ±20V ±30V
आधार उत्पाद संख्या RUC002 SPP21N IXFK16 TSM80
शृंखला - SIPMOS® HiPerFET™, Q Class -
प्रदायक डिवाइस पैकेज SST3 PG-TO220-3-1 TO-264AA (IXFK) TO-252, (D-Pak)
परिचालन तापमान 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

RUC002N05T116 डेटशीट पीडीएफ

RUC002N05T116 - Rohm Semiconductor के लिए RUC002N05T116 PDF DataSheets और Rohm Semiconductor प्रलेखन डाउनलोड करें।

अन्य संबंधित दस्तावेज
Transistor, MOSFET Flammability.pdf SST3 Part Marking.pdf SST3M Inner Structure.pdf
पर्यावरण सूचना
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
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