Name: Rohm Semiconductor RUU002N05T106
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RUU002N05T106

RUU002N05T106 ~~- Rohm Semiconductor~~

उत्पादक भाग संख्या

RUU002N05T106

Allelco भाग संख्या

32D-RUU002N05T106

ईसीएडी मॉडल

भागों का विवरण

MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3

विस्तृत विवरण

पैकेज

SC-70, SOT-323

विवरण तालिका

~~RUU002N05T106.pdf~~

RoHs स्थिति

~~तुलना~~

विशेष विवरण

RUU002N05T106 तकनीकी विनिर्देश
Rohm Semiconductor - RUU002N05T106 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Rohm Semiconductor - RUU002N05T106 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता

मान बताइए

उत्पादक

LAPIS Technology

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

1V @ 1mA

वीजीएस (मैक्स)

±8V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

UMT3

शृंखला

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

2.2Ohm @ 200mA, 4.5V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

200mW (Ta)

पैकेज / प्रकरण

SC-70, SOT-323

पैकेट

Tape & Reel (TR)

उत्पाद विशेषता

मान बताइए

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

25 pF @ 10 V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

1.2V, 4.5V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

50 V

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

200mA (Ta)

आधार उत्पाद संख्या

RUU002

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Rohm Semiconductor RUU002N05T106 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	RUU002N05T106	NTMS7N03R2	STP7NK80ZFP	IXTY26P10T
उत्पादक	Rohm Semiconductor	onsemi	STMicroelectronics	IXYS
पैकेट	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tube	Tube
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount	Surface Mount	Through Hole	Surface Mount
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	1.2V, 4.5V	4.5V, 10V	10V	10V
आधार उत्पाद संख्या	RUU002	NTMS7N	STP7NK80	IXTY26
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	2.2Ohm @ 200mA, 4.5V	23mOhm @ 7A, 10V	1.8Ohm @ 2.6A, 10V	90mOhm @ 13A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	200mW (Ta)	800mW (Ta)	30W (Tc)	150W (Tc)
परिचालन तापमान	150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	P-Channel
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	25 pF @ 10 V	1190 pF @ 25 V	1138 pF @ 25 V	3820 pF @ 25 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज	UMT3	8-SOIC	TO-220FP	TO-252AA
पैकेज / प्रकरण	SC-70, SOT-323	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	TO-220-3 Full Pack	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	200mA (Ta)	4.8A (Ta)	5.2A (Tc)	26A (Tc)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	1V @ 1mA	3V @ 250µA	4.5V @ 100µA	4.5V @ 250µA
FET फ़ीचर	-	-	-	-
शृंखला	-	-	SuperMESH™	TrenchP™
वीजीएस (मैक्स)	±8V	±20V	±30V	±15V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	50 V	30 V	800 V	100 V

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

यदि आपके पास एक है तो शिपमेंट के लिए अपने एक्सप्रेस खाते का उपयोग करें।
शिपमेंट के लिए हमारे खाते का उपयोग करें।अनुमानित शुल्क के लिए नीचे दी गई तालिका देखें।

(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
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