Name: Microchip Technology APT29F100B2
Brand: Microchip Technology
SKU: APT29F100B2

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

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शिपमेंट के लिए हमारे खाते का उपयोग करें।अनुमानित शुल्क के लिए नीचे दी गई तालिका देखें।

(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	Microchip Technology
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	5V @ 2.5mA
वीजीएस (मैक्स)	±30V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	T-MAX™ [B2]
शृंखला	POWER MOS 8™
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	440mOhm @ 16A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	1040W (Tc)
पैकेज / प्रकरण	TO-247-3 Variant
पैकेट	Tube

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	8500 pF @ 25 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	260 nC @ 10 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	1000 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	30A (Tc)
आधार उत्पाद संख्या	APT29F100

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	APT29F100B2	APT28F60B	APT28M120B2	APT29F100L
उत्पादक	Microchip Technology	Microsemi Corporation	Microchip Technology	Microchip Technology
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	260 nC @ 10 V	140 nC @ 10 V	300 nC @ 10 V	260 nC @ 10 V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
वीजीएस (मैक्स)	±30V	±30V	±30V	±30V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	1000 V	600 V	1200 V	1000 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	30A (Tc)	30A (Tc)	29A (Tc)	30A (Tc)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	8500 pF @ 25 V	5575 pF @ 25 V	9670 pF @ 25 V	8500 pF @ 25 V
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
आधार उत्पाद संख्या	APT29F100	APT28F60	APT28M120	APT29F100
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	440mOhm @ 16A, 10V	250mOhm @ 14A, 10V	560mOhm @ 14A, 10V	460mOhm @ 16A, 10V
पैकेट	Tube	Tube	Tube	Tube
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	1040W (Tc)	520W (Tc)	1135W (Tc)	1040W (Tc)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	5V @ 2.5mA	5V @ 1mA	5V @ 2.5mA	5V @ 2.5mA
पैकेज / प्रकरण	TO-247-3 Variant	TO-247-3	TO-247-3 Variant	TO-264-3, TO-264AA
FET फ़ीचर	-	-	-	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V	10V	10V	10V
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole
शृंखला	POWER MOS 8™	-	POWER MOS 8™	-
प्रदायक डिवाइस पैकेज	T-MAX™ [B2]	TO-247 [B]	T-MAX™ [B2]	TO-264

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