RC28F128J3F75A तकनीकी विनिर्देश
Micron Technology - RC28F128J3F75A तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Micron Technology - RC28F128J3F75A के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Micron Technology | |
| लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ | 75ns | |
| वोल्टेज आपूर्ति | 2.7 V ~ 3.6 V | |
| प्रौद्योगिकी | FLASH - NOR | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | 64-EasyBGA (10x13) | |
| शृंखला | StrataFlash™ | |
| पैकेजिंग | Tray | |
| पैकेज / प्रकरण | 64-TBGA | |
| दुसरे नाम | 557-1631 RC28F128J3F75A-ND |
|
| परिचालन तापमान | -40°C ~ 85°C (TA) |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 3 (168 Hours) | |
| स्मृति के प्रकार | Non-Volatile | |
| मेमोरी का आकार | 128Mb (16M x 8, 8M x 16) | |
| मेमोरी इंटरफेस | Parallel | |
| मेमोरी प्रारूप | FLASH | |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Contains lead / RoHS non-compliant | |
| विस्तृत विवरण | FLASH - NOR Memory IC 128Mb (16M x 8, 8M x 16) Parallel 75ns 64-EasyBGA (10x13) | |
| आधार भाग संख्या | 28F128J3 | |
| अभिगम समय | 75ns |
| गुण | विवरण |
|---|---|
| RoHs स्थिति | लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | |
| तक पहुँचने की स्थिति | |
| ECCN | |
| HTSUS |
दाईं ओर के तीन भागों में Micron Technology RC28F128J3F75A के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता |  |
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|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | RC28F128J3F75A | RC28F128P30TF65A | RC28F128P30BF65A | RC28F128J3D75A |
| उत्पादक | Micron Technology | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| पैकेजिंग | Tray | - | - | - |
| अभिगम समय | 75ns | 65 ns | 65 ns | 75 ns |
| मेमोरी का आकार | 128Mb (16M x 8, 8M x 16) | 128Mbit | 128Mbit | 128Mbit |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Contains lead / RoHS non-compliant | - | - | - |
| मेमोरी प्रारूप | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
| प्रौद्योगिकी | FLASH - NOR | FLASH - NOR | FLASH - NOR | FLASH - NOR |
| शृंखला | StrataFlash™ | StrataFlash™ | StrataFlash™ | StrataFlash™ |
| परिचालन तापमान | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| मेमोरी इंटरफेस | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 3 (168 Hours) | - | - | - |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | 64-EasyBGA (10x13) | 64-EasyBGA (10x13) | 64-EasyBGA (10x13) | 64-EasyBGA (10x13) |
| पैकेज / प्रकरण | 64-TBGA | 64-TBGA | 64-TBGA | 64-TBGA |
| लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ | 75ns | 65ns | 65ns | 75ns |
| विस्तृत विवरण | FLASH - NOR Memory IC 128Mb (16M x 8, 8M x 16) Parallel 75ns 64-EasyBGA (10x13) | - | - | - |
| वोल्टेज आपूर्ति | 2.7 V ~ 3.6 V | 1.7V ~ 2V | 1.7V ~ 2V | 2.7V ~ 3.6V |
| दुसरे नाम | 557-1631 RC28F128J3F75A-ND |
- | - | - |
| आधार भाग संख्या | 28F128J3 | - | - | - |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| स्मृति के प्रकार | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
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RC28F128P30TF65AMicron Technology Inc.IC FLASH 128MBIT PAR 64EASYBGA
RC28F128J3F75BMicron Technology
RC28F128J3C120IntelRC28F128P30B85Micron TechnologyRC28F128P30BF65AMicron Technology Inc.IC FLASH 128MBIT PAR 64EASYBGARC28F128K3CMicron Technology
RC28F128J3D75ENUMONYXRC28F128P33B85IntelRC28F128J3D-75IntelRC28F128J3F75IntelRC28F128J3D75IntelRC28F128J3D75AMicron Technology Inc.IC FLASH 128MBIT PAR 64EASYBGARC28F128J3C165IntelRC28F128P30T85IntelRC28F128K3C115IntelRC28F128J3C150IntelRC28F128J3DIntelRC28F128K3C120Intel| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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