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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगल2N7236
Microsemi Corporation
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2N7236 - Microsemi Corporation

उत्पादक भाग संख्या
2N7236
उत्पादक
Microsemi
Allelco भाग संख्या
32D-2N7236
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET P-CH 100V 18A TO254AA
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
विवरण तालिका
2N7236.pdf
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स्टॉक में: 4970

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मात्रा

विशेष विवरण

2N7236 तकनीकी विनिर्देश
Microsemi Corporation - 2N7236 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Microsemi Corporation - 2N7236 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Microsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-254AA  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 200mOhm @ 11A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 4W (Ta), 125W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेट Bulk  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 60 nC @ 10 V  
FET प्रकार P-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 18A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Microsemi Corporation 2N7236 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता 2N7236 2N7224U 2N7236U 2N7008-G
भाग संख्या 2N7236 2N7224U 2N7236U 2N7008-G
उत्पादक Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microchip Technology
FET फ़ीचर - - - -
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 18A (Tc) 34A (Tc) 18A (Tc) 230mA (Tj)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 5V, 10V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 60 nC @ 10 V 125 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V -
पैकेज / प्रकरण TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) TO-267AB TO-267AB TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
शृंखला - - - -
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±30V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
पैकेट Bulk Bulk Bulk Bag
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 4W (Ta), 125W (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) 4W (Ta), 125W (Tc) 1W (Tc)
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-254AA TO-267AB TO-267AB TO-92-3
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V 100 V 100 V 60 V
FET प्रकार P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 200mOhm @ 11A, 10V 81mOhm @ 34A, 10V 200mOhm @ 11A, 10V 7.5Ohm @ 500mA, 10V

2N7236 डेटशीट पीडीएफ

2N7236 - Microsemi Corporation के लिए 2N7236 PDF DataSheets और Microsemi Corporation प्रलेखन डाउनलोड करें।

पर्यावरण सूचना
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
Last Time Buy Revision 08/Jul/2015.pdf Multiple Devices 12/Jun/2015.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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