Name: Microsemi Corporation APT94N65B2C3G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT94N65B2C3G

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

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(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	Microsemi
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	3.9V @ 5.8mA
वीजीएस (मैक्स)	±20V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	T-MAX™ [B2]
शृंखला	CoolMOS™
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	35mOhm @ 47A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	833W (Tc)
पैकेज / प्रकरण	TO-247-3 Variant
पैकेट	Tube

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	13940 pF @ 25 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	580 nC @ 10 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	650 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	94A (Tc)
आधार उत्पाद संख्या	APT94N65

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	APT94N65B2C3G	APT94N60L2C3G	APT80SM120B	APT9F100B
उत्पादक	Microsemi Corporation	Microchip Technology	Microsemi Corporation	Microchip Technology
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	833W (Tc)	833W (Tc)	555W (Tc)	337W (Tc)
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	94A (Tc)	94A (Tc)	80A (Tc)	9A (Tc)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole
वीजीएस (मैक्स)	±20V	±20V	+25V, -10V	±30V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	SiCFET (Silicon Carbide)	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	T-MAX™ [B2]	264 MAX™ [L2]	TO-247	TO-247 [B]
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V	10V	20V	10V
शृंखला	CoolMOS™	-	-	POWER MOS 8™
आधार उत्पाद संख्या	APT94N65	APT94N60	-	APT9F100
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	580 nC @ 10 V	640 nC @ 10 V	235 nC @ 20 V	80 nC @ 10 V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	3.9V @ 5.8mA	3.9V @ 5.4mA	2.5V @ 1mA	5V @ 1mA
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	13940 pF @ 25 V	13600 pF @ 25 V	-	2606 pF @ 25 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	35mOhm @ 47A, 10V	35mOhm @ 60A, 10V	55mOhm @ 40A, 20V	1.6Ohm @ 5A, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	650 V	600 V	1200 V	1000 V
पैकेट	Tube	Tube	Bulk	Tube
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
पैकेज / प्रकरण	TO-247-3 Variant	TO-264-3, TO-264AA	TO-247-3	TO-247-3
FET फ़ीचर	-	-	-	-

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