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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलJANTX2N6766
Microsemi Corporation
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JANTX2N6766 - Microsemi Corporation

उत्पादक भाग संख्या
JANTX2N6766
उत्पादक
Microsemi
Allelco भाग संख्या
32D-JANTX2N6766
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 200V 30A TO3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-204AE
विवरण तालिका
JANTX2N6766.pdf
तुलना
स्टॉक में: 4300

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मात्रा

विशेष विवरण

JANTX2N6766 तकनीकी विनिर्देश
Microsemi Corporation - JANTX2N6766 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Microsemi Corporation - JANTX2N6766 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Microsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-3  
शृंखला Military, MIL-PRF-19500/543  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 90mOhm @ 30A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 4W (Ta), 150W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-204AE  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेट Bulk  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 115 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 200 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 30A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Microsemi Corporation JANTX2N6766 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता JANTX2N6766 JANTX2N6788 JANTX2N6800 JANTX2N6796
भाग संख्या JANTX2N6766 JANTX2N6788 JANTX2N6800 JANTX2N6796
उत्पादक Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 200 V 100 V 400 V 100 V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
FET फ़ीचर - - - -
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-3 TO-39 TO-205AF (TO-39) TO-205AF (TO-39)
पैकेट Bulk Bulk Bulk Bulk
शृंखला Military, MIL-PRF-19500/543 Military, MIL-PRF-19500/555 Military, MIL-PRF-19500/557 Military, MIL-PRF-19500/557
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 115 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 34.75 nC @ 10 V 28.51 nC @ 10 V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 90mOhm @ 30A, 10V 350mOhm @ 6A, 10V 1.1Ohm @ 3A, 10V 195mOhm @ 8A, 10V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 4W (Ta), 150W (Tc) 800mW (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
पैकेज / प्रकरण TO-204AE TO-205AF Metal Can TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 30A (Tc) 6A (Tc) 3A (Tc) 8A (Tc)
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

JANTX2N6766 डेटशीट पीडीएफ

JANTX2N6766 - Microsemi Corporation के लिए JANTX2N6766 PDF DataSheets और Microsemi Corporation प्रलेखन डाउनलोड करें।

पर्यावरण सूचना
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
Last Time Buy Revision 08/Jul/2015.pdf Multiple Devices 12/Jun/2015.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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