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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRF350
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IRF350 - NTE Electronics, Inc

उत्पादक भाग संख्या
IRF350
उत्पादक
NTE Electronics, Inc.
Allelco भाग संख्या
32D-IRF350
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 400V 14A TO3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-204AA, TO-3
विवरण तालिका
IRF350.pdf
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विशेष विवरण

IRF350 तकनीकी विनिर्देश
NTE Electronics, Inc - IRF350 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और NTE Electronics, Inc - IRF350 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक NTE Electronics, Inc.  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-3  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 400mOhm @ 14A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 150W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-204AA, TO-3  
पैकेट Bag  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2600 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 110 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 400 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 14A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में NTE Electronics, Inc IRF350 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRF350 IRF3515S IRF3415SPBF IRF3415S
भाग संख्या IRF350 IRF3515S IRF3415SPBF IRF3415S
उत्पादक NTE Electronics, Inc Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 400mOhm @ 14A, 10V 45mOhm @ 25A, 10V 42mOhm @ 22A, 10V 42mOhm @ 22A, 10V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
पैकेज / प्रकरण TO-204AA, TO-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
शृंखला - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
पैकेट Bag Tube Tube Tube
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 110 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET फ़ीचर - - - -
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±30V ±20V ±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2600 pF @ 25 V 2260 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 14A (Tc) 41A (Tc) 43A (Tc) 43A (Tc)
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 400 V 150 V 150 V 150 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-3 D2PAK D2PAK D2PAK
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 150W (Tc) 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)

IRF350 डेटशीट पीडीएफ

IRF350 - NTE Electronics, Inc के लिए IRF350 PDF DataSheets और NTE Electronics, Inc प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
IRF350.pdf
पर्यावरण सूचना
RoHS Statement.pdf

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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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