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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलPMFPB8032XP,115
PMFPB8032XP,115 Image
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PMFPB8032XP,115 - Nexperia USA Inc.

उत्पादक भाग संख्या
PMFPB8032XP,115
उत्पादक
Nexperia
Allelco भाग संख्या
32D-PMFPB8032XP,115
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
विस्तृत विवरण
पैकेज
6-UFDFN Exposed Pad
विवरण तालिका
PMFPB8032XP.pdf
RoHs स्थिति
स्टॉक में: 68880

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मात्रा

विशेष विवरण

PMFPB8032XP,115 तकनीकी विनिर्देश
Nexperia USA Inc. - PMFPB8032XP,115 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Nexperia USA Inc. - PMFPB8032XP,115 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Nexperia  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 1V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±12V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज 6-HUSON (2x2)  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 102mOhm @ 2.7A, 4.5V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 485mW (Ta), 6.25W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण 6-UFDFN Exposed Pad  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 550 pF @ 10 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 8.6 nC @ 4.5 V  
FET प्रकार P-Channel  
FET फ़ीचर Schottky Diode (Isolated)  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 20 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 2.7A (Ta)  
आधार उत्पाद संख्या PMFPB8032  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Nexperia USA Inc. PMFPB8032XP,115 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता PMFPB8032XP,115 PMF87EN,115 PMF63UN,115 PMF77XN,115
भाग संख्या PMFPB8032XP,115 PMF87EN,115 PMF63UN,115 PMF77XN,115
उत्पादक Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc.
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 8.6 nC @ 4.5 V 4.7 nC @ 10 V 3.3 nC @ 4.5 V 2.9 nC @ 4.5 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 550 pF @ 10 V 135 pF @ 15 V 185 pF @ 10 V 170 pF @ 15 V
पैकेज / प्रकरण 6-UFDFN Exposed Pad SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 102mOhm @ 2.7A, 4.5V 80mOhm @ 1.7A, 10V 74mOhm @ 1.8A, 4.5V 97mOhm @ 1.5A, 4.5V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 485mW (Ta), 6.25W (Tc) 275mW (Ta) 275mW (Ta), 1.785W (Tc) 270mW (Ta), 1.92W (Tc)
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
शृंखला - - - -
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 2.7A (Ta) 1.7A (Ta) 1.8A (Ta) 1.5A (Ta)
वीजीएस (मैक्स) ±12V ±20V ±8V ±12V
प्रदायक डिवाइस पैकेज 6-HUSON (2x2) SC-70 SC-70 SC-70
FET फ़ीचर Schottky Diode (Isolated) - - -
आधार उत्पाद संख्या PMFPB8032 PMF87 PMF63 PMF77
FET प्रकार P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 20 V 30 V 20 V 30 V

PMFPB8032XP,115 डेटशीट पीडीएफ

PMFPB8032XP,115 - Nexperia USA Inc. के लिए PMFPB8032XP,115 PDF DataSheets और Nexperia USA Inc. प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
PMFPB8032XP.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Logo 10/Dec/2016.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
Mult Dev EOL 21/Jul/2021.pdf

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

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(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

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  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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