PMXB40UNE तकनीकी विनिर्देश
Nexperia - PMXB40UNE तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Nexperia - PMXB40UNE के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Nexperia | |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 900mV @ 250µA | |
| वीजीएस (मैक्स) | ±8V | |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | DFN1010D-3 | |
| शृंखला | - | |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 45 mOhm @ 3.2A, 4.5V | |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 400mW (Ta), 8.33W (Tc) | |
| पैकेजिंग | Original-Reel® | |
| पैकेज / प्रकरण | 3-XDFN Exposed Pad | |
| दुसरे नाम | 1727-1475-6 568-10946-6 568-10946-6-ND |
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| परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) | |
| निर्माता मानक लीड टाइम | 8 Weeks | |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant | |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 556pF @ 10V | |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 11.6nC @ 4.5V | |
| FET प्रकार | N-Channel | |
| FET फ़ीचर | - | |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 1.2V, 4.5V | |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 12V | |
| विस्तृत विवरण | N-Channel 12V 3.2A (Ta) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3 | |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 3.2A (Ta) |
दाईं ओर के तीन भागों में Nexperia PMXB40UNE के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता |  |
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|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | PMXB40UNE | SQM10250E_GE3 | STT4PF20V | IRFR5410TRPBF |
| उत्पादक | Nexperia | Vishay Siliconix | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| FET फ़ीचर | - | - | - | - |
| दुसरे नाम | 1727-1475-6 568-10946-6 568-10946-6-ND |
- | - | - |
| शृंखला | - | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | STripFET™ II | HEXFET® |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 11.6nC @ 4.5V | 75 nC @ 10 V | 7.8 nC @ 4.5 V | 58 nC @ 10 V |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | DFN1010D-3 | TO-263 (D²Pak) | SOT-23-6 | D-Pak |
| FET प्रकार | N-Channel | N-Channel | P-Channel | P-Channel |
| वीजीएस (मैक्स) | ±8V | ±20V | ±10V | ±20V |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 45 mOhm @ 3.2A, 4.5V | 30mOhm @ 15A, 10V | 110mOhm @ 1.5A, 4.5V | 205mOhm @ 7.8A, 10V |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 3.2A (Ta) | 65A (Tc) | 3A (Tc) | 13A (Tc) |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
| प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 12V | 250 V | 20 V | 100 V |
| ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 1.2V, 4.5V | 7.5V, 10V | 2.7V, 4.5V | 10V |
| वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 900mV @ 250µA | 3.5V @ 250µA | 600mV @ 250µA (Min) | 4V @ 250µA |
| निर्माता मानक लीड टाइम | 8 Weeks | - | - | - |
| विस्तृत विवरण | N-Channel 12V 3.2A (Ta) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3 | - | - | - |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 556pF @ 10V | 4050 pF @ 25 V | 500 pF @ 15 V | 760 pF @ 25 V |
| पैकेज / प्रकरण | 3-XDFN Exposed Pad | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | SOT-23-6 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| पैकेजिंग | Original-Reel® | - | - | - |
| शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 400mW (Ta), 8.33W (Tc) | 375W (Tc) | 1.6W (Tc) | 66W (Tc) |
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SQM10250E_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 65A TO263
PMXB65ENEFreescale / NXP Semiconductors
PMX-20-0-116WLNSP-HR-01-0QualcommSTT4PF20VSTMicroelectronicsMOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6IRFR5410TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 13A DPAK
IRFL024ZInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223PMXB56ENNexperiaMOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
SPP02N80C3Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET
FDP054N10Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1PMXB65UPEFreescale / NXP SemiconductorsPMXB43UNEFreescale / NXP SemiconductorsRFD14N05SM9AFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1PMXB56ENZNXP SemiconductorsNEXPERIA PMXB56EN - 30 V, N-CHANPMXB360ENEAFreescale / NXP SemiconductorsSI7611DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
PMXB56ENZNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
FQU3N60CTUonsemiMOSFET N-CH 600V 2.4A IPAKPMXB120EPEZNexperia USA Inc.MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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