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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगल2SK2225-80-E#T2
2SK2225-80-E#T2 Image
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2SK2225-80-E#T2 - Renesas Electronics America Inc

उत्पादक भाग संख्या
2SK2225-80-E#T2
उत्पादक
Renesas Electronics Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-2SK2225-80-E#T2
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
ABU / MOSFET
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3 Full Pack
विवरण तालिका
2SK2225-80-E#T2.pdf
RoHs स्थिति
स्टॉक में: 14812

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मात्रा

विशेष विवरण

2SK2225-80-E#T2 तकनीकी विनिर्देश
Renesas Electronics America Inc - 2SK2225-80-E#T2 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Renesas Electronics America Inc - 2SK2225-80-E#T2 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Renesas Electronics Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 1mA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-3PFM  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 12Ohm @ 1A, 15V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 50W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 Full Pack  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेट Tube  
परिचालन तापमान 150°C  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 990 pF @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 15V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 1500 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 2A (Ta)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Renesas Electronics America Inc 2SK2225-80-E#T2 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता 2SK2225-80-E#T2 2SK2225-E 2SK2225 2SK2224
भाग संख्या 2SK2225-80-E#T2 2SK2225-E 2SK2225 2SK2224
उत्पादक Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Fujitsu Electronics America, Inc.
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole - -
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V - -
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 1mA - - -
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 12Ohm @ 1A, 15V 12Ohm @ 1A, 15V - -
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 Full Pack TO-3PFM, SC-93-3 - -
FET फ़ीचर - - - -
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 50W (Tc) 50W (Tc) - -
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 15V 15V - -
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-3PFM TO-3PFM - -
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 990 pF @ 10 V 984.7 pF @ 30 V - -
पैकेट Tube Tube - -
FET प्रकार N-Channel N-Channel - -
परिचालन तापमान 150°C 150°C (TJ) - -
शृंखला - - - -
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 2A (Ta) 2A (Ta) - -
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 1500 V 1500 V - -

2SK2225-80-E#T2 डेटशीट पीडीएफ

2SK2225-80-E#T2 - Renesas Electronics America Inc के लिए 2SK2225-80-E#T2 PDF DataSheets और Renesas Electronics America Inc प्रलेखन डाउनलोड करें।

पीसीएन पैकेजिंग
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

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  1. यदि आपके पास एक है तो शिपमेंट के लिए अपने एक्सप्रेस खाते का उपयोग करें।
  2. शिपमेंट के लिए हमारे खाते का उपयोग करें।अनुमानित शुल्क के लिए नीचे दी गई तालिका देखें।
(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

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  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
टिप्पणी:
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    +00852 9146 4856

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