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घरउत्पादएकीकृत सर्किट (आईसीएस)पीएमआईसी - गेट ड्राइवर्सISL6612AEIBZ-T
ISL6612AEIBZ-T Image
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ISL6612AEIBZ-T - Renesas Electronics America Inc

उत्पादक भाग संख्या
ISL6612AEIBZ-T
उत्पादक
Renesas Electronics Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-ISL6612AEIBZ-T
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
विस्तृत विवरण
पैकेज
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
विवरण तालिका
ISL6612AEIBZ-T.pdf
RoHs स्थिति
स्टॉक में: 11790

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मात्रा

विशेष विवरण

ISL6612AEIBZ-T तकनीकी विनिर्देश
Renesas Electronics America Inc - ISL6612AEIBZ-T तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Renesas Electronics America Inc - ISL6612AEIBZ-T के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Renesas Electronics Corporation  
वोल्टेज आपूर्ति 10.8V ~ 13.2V  
प्रदायक डिवाइस पैकेज 8-SOIC-EP  
शृंखला -  
उठो / पतन समय (टाइप) 26ns, 18ns  
पैकेज / प्रकरण 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
परिचालन तापमान -40°C ~ 125°C (TJ)  
इनपुट आवृत्ति 2  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
तर्क वोल्ट - वीआईएल, VIH -  
इनपुट प्रकार Non-Inverting  
उच्च पक्ष वोल्टेज - मैक्स (बूटस्ट्रैप) 36 V  
गेट प्रकार N-Channel MOSFET  
प्रेरित कॉन्फ़िगरेशन Half-Bridge  
वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक) 1.25A, 2A  
आधार emitter संतृप्ति वोल्टेज (मैक्स) Synchronous  
आधार उत्पाद संख्या ISL6612  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Renesas Electronics America Inc ISL6612AEIBZ-T के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता ISL6612AEIBZ-T ISL6612ACRZ-T ISL6612CB ISL6612BCBZ
भाग संख्या ISL6612AEIBZ-T ISL6612ACRZ-T ISL6612CB ISL6612BCBZ
उत्पादक Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक) 1.25A, 2A 1.25A, 2A 1.25A, 2A 1.25A, 2A
प्रदायक डिवाइस पैकेज 8-SOIC-EP 10-DFN (3x3) 8-SOIC 8-SOIC
प्रेरित कॉन्फ़िगरेशन Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
पैकेज / प्रकरण 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 10-VFDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
उच्च पक्ष वोल्टेज - मैक्स (बूटस्ट्रैप) 36 V 36 V 36 V 36 V
परिचालन तापमान -40°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 125°C (TJ)
शृंखला - - - -
इनपुट प्रकार Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
गेट प्रकार N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
इनपुट आवृत्ति 2 2 2 2
वोल्टेज आपूर्ति 10.8V ~ 13.2V 10.8V ~ 13.2V 10.8V ~ 13.2V 7V ~ 13.2V
आधार उत्पाद संख्या ISL6612 ISL6612 ISL6612 ISL6612
आधार emitter संतृप्ति वोल्टेज (मैक्स) Synchronous Synchronous Synchronous Synchronous
उठो / पतन समय (टाइप) 26ns, 18ns 26ns, 18ns 26ns, 18ns 26ns, 18ns
तर्क वोल्ट - वीआईएल, VIH - - - -

ISL6612AEIBZ-T डेटशीट पीडीएफ

ISL6612AEIBZ-T - Renesas Electronics America Inc के लिए ISL6612AEIBZ-T PDF DataSheets और Renesas Electronics America Inc प्रलेखन डाउनलोड करें।

पीसीएन पैकेजिंग
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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डिलीवरी का समय

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(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

  1. डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
टिप्पणी:
उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
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