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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSTB10LN80K5
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STB10LN80K5 - STMicroelectronics

उत्पादक भाग संख्या
STB10LN80K5
उत्पादक
STMicroelectronics
Allelco भाग संख्या
32D-STB10LN80K5
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
विवरण तालिका
STB10LN80K5.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

STB10LN80K5 तकनीकी विनिर्देश
STMicroelectronics - STB10LN80K5 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और STMicroelectronics - STB10LN80K5 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक STMicroelectronics  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 100µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK (TO-263)  
शृंखला MDmesh™ K5  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 630mOhm @ 4A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 110W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 427 pF @ 100 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 15 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 800 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 8A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या STB10  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में STMicroelectronics STB10LN80K5 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता STB10LN80K5 STB100NH02LT4 STB10N60M2 STB100NF04T4
भाग संख्या STB10LN80K5 STB100NH02LT4 STB10N60M2 STB100NF04T4
उत्पादक STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 630mOhm @ 4A, 10V 6mOhm @ 30A, 10V 600mOhm @ 3A, 10V 4.6mOhm @ 50A, 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 427 pF @ 100 V 2850 pF @ 15 V 400 pF @ 100 V 5100 pF @ 25 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 8A (Tc) 60A (Tc) 7.5A (Tc) 120A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 5V, 10V 10V 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 800 V 24 V 600 V 40 V
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
आधार उत्पाद संख्या STB10 STB100N STB10 STB100
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK (TO-263) D2PAK D²PAK (TO-263) D2PAK
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 100µA 1.8V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 110W (Tc) 100W (Tc) 85W (Tc) 300W (Tc)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 15 nC @ 10 V 64 nC @ 10 V 13.5 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±20V ±25V ±20V
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
FET फ़ीचर - - - -
शृंखला MDmesh™ K5 STripFET™ III MDmesh™ II Plus Automotive, AEC-Q101, STripFET™ II
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

STB10LN80K5 डेटशीट पीडीएफ

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डाटा शीट
STB10LN80K5.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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