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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSTB14NK50ZT4
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STB14NK50ZT4 - STMicroelectronics

उत्पादक भाग संख्या
STB14NK50ZT4
उत्पादक
STMicroelectronics
Allelco भाग संख्या
32D-STB14NK50ZT4
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
विवरण तालिका
STx14NK50Z(FP,-1).pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 13454

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मात्रा

विशेष विवरण

STB14NK50ZT4 तकनीकी विनिर्देश
STMicroelectronics - STB14NK50ZT4 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और STMicroelectronics - STB14NK50ZT4 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक STMicroelectronics  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 100µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D2PAK  
शृंखला SuperMESH™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 380mOhm @ 6A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 150W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2000 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 92 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 500 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 14A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या STB14  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में STMicroelectronics STB14NK50ZT4 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता STB14NK50ZT4 STB14NK60ZT4 STB140NF75T4 STB14NM65N
भाग संख्या STB14NK50ZT4 STB14NK60ZT4 STB140NF75T4 STB14NM65N
उत्पादक STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2000 pF @ 25 V 2220 pF @ 25 V 5000 pF @ 25 V 1300 pF @ 50 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 150W (Tc) 160W (Tc) 310W (Tc) 125W (Tc)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 14A (Tc) 13.5A (Tc) 120A (Tc) 12A (Tc)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
प्रदायक डिवाइस पैकेज D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET फ़ीचर - - - -
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 380mOhm @ 6A, 10V 500mOhm @ 6A, 10V 7.5mOhm @ 70A, 10V 380mOhm @ 6A, 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 92 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 218 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
आधार उत्पाद संख्या STB14 STB14 STB140 STB14N
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 500 V 600 V 75 V 650 V
शृंखला SuperMESH™ SuperMESH™ STripFET™ III MDmesh™ II
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±20V ±25V

STB14NK50ZT4 डेटशीट पीडीएफ

STB14NK50ZT4 - STMicroelectronics के लिए STB14NK50ZT4 PDF DataSheets और STMicroelectronics प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
STx14NK50Z(FP,-1).pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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STB14NK50ZT4

STMicroelectronics
32D-STB14NK50ZT4

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