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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSTB155N3LH6
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STB155N3LH6 - STMicroelectronics

उत्पादक भाग संख्या
STB155N3LH6
उत्पादक
STMicroelectronics
Allelco भाग संख्या
32D-STB155N3LH6
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
विवरण तालिका
ST(B,D)155N3LH6.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 25401

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मात्रा

विशेष विवरण

STB155N3LH6 तकनीकी विनिर्देश
STMicroelectronics - STB155N3LH6 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और STMicroelectronics - STB155N3LH6 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक STMicroelectronics  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK (TO-263)  
शृंखला DeepGATE™, STripFET™ VI  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 3mOhm @ 40A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 110W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3800 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 80 nC @ 5 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 5V, 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 30 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 80A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या STB155  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में STMicroelectronics STB155N3LH6 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता STB155N3LH6 STB15NM65N STB14NM65N STB14NK60ZT4
भाग संख्या STB155N3LH6 STB15NM65N STB14NM65N STB14NK60ZT4
उत्पादक STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 3mOhm @ 40A, 10V 270mOhm @ 7.75A, 10V 380mOhm @ 6A, 10V 500mOhm @ 6A, 10V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3800 pF @ 25 V 1900 pF @ 50 V 1300 pF @ 50 V 2220 pF @ 25 V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 30 V 650 V 650 V 600 V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 5V, 10V 10V 10V 10V
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 110W (Tc) 150W (Tc) 125W (Tc) 160W (Tc)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
आधार उत्पाद संख्या STB155 STB15N STB14N STB14
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 80 nC @ 5 V 55 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V
शृंखला DeepGATE™, STripFET™ VI MDmesh™ II MDmesh™ II SuperMESH™
FET फ़ीचर - - - -
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 80A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc) 13.5A (Tc)
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK (TO-263) D2PAK D2PAK D2PAK
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±25V ±25V ±30V
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STB155N3LH6 डेटशीट पीडीएफ

STB155N3LH6 - STMicroelectronics के लिए STB155N3LH6 PDF DataSheets और STMicroelectronics प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
ST(B,D)155N3LH6.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Mult Dev Assembly Add 8/Mar/2019.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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STB155N3LH6

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